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登録内容 (EID=86077)

EID=86077EID:86077, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 16:31:49, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □国際会議 [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1.富永 喜久雄
○役割 (任意): □共著 [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Sueyoshi Yasuhiko (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Imai Hiroshi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4.新谷 義廣
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) Film Preparation of ZnO in Ar Gas by Planar Magnetron Sputtering System with Facing ZnO Targets  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) 本論文では，透明電極用酸化亜鉛薄膜を対向ターゲット式スパッタ法で作製して，低抵抗化に影響する要因について検討した．不純物を添加しない酸化亜鉛導電膜と，アルミニウムをドナーとして添加した膜を比較して，それらの電気的，光学的特性の差異を示した．酸素欠損がドナーとして働くものの，多くなりすぎると結晶中に多くの欠陥を有機するために，不純物を添加しない酸化亜鉛の抵抗率の低下には限度がある．これに対して，アルミニウムを添加した場合は，相対的に結晶粒成長が促進され，抵抗率の低下がはかられるることを示した．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □ (英) Proc. 11th International Symposium on Plasma Chemistry (日) (読)
○ISSN (任意):
[継承]
○巻 (必須): □3 [継承]
○号 (必須): □ [継承]
○頁 (必須): □841 846 [継承]
○都市 (必須):
○年月日 (必須): □西暦 1993年 8月 初日 (平成 5年 8月 初日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yasuhiko Sueyoshi, Hiroshi Imai and Yoshihiro Shintani : Film Preparation of ZnO in Ar Gas by Planar Magnetron Sputtering System with Facing ZnO Targets, Proc. 11th International Symposium on Plasma Chemistry, Vol.3, 841-846, (都市), Aug. 1993.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yasuhiko Sueyoshi, Hiroshi Imai and Yoshihiro Shintani : Film Preparation of ZnO in Ar Gas by Planar Magnetron Sputtering System with Facing ZnO Targets, Proc. 11th International Symposium on Plasma Chemistry, Vol.3, 841-846, (都市), Aug. 1993.

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