『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=86077)

EID=86077EID:86077, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 16:31:49, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Sueyoshi Yasuhiko (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Imai Hiroshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.新谷 義廣
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Film Preparation of ZnO in Ar Gas by Planar Magnetron Sputtering System with Facing ZnO Targets  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文では,透明電極用酸化亜鉛薄膜を対向ターゲット式スパッタ法で作製して,低抵抗化に影響する要因について検討した.不純物を添加しない酸化亜鉛導電膜と,アルミニウムをドナーとして添加した膜を比較して,それらの電気的,光学的特性の差異を示した.酸素欠損がドナーとして働くものの,多くなりすぎると結晶中に多くの欠陥を有機するために,不純物を添加しない酸化亜鉛の抵抗率の低下には限度がある.これに対して,アルミニウムを添加した場合は,相対的に結晶粒成長が促進され,抵抗率の低下がはかられるることを示した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proc. 11th International Symposium on Plasma Chemistry (日) (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 841 846 [継承]
都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 1993年 8月 初日 (平成 5年 8月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yasuhiko Sueyoshi, Hiroshi Imai and Yoshihiro Shintani : Film Preparation of ZnO in Ar Gas by Planar Magnetron Sputtering System with Facing ZnO Targets, Proc. 11th International Symposium on Plasma Chemistry, Vol.3, 841-846, (都市), Aug. 1993.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Yasuhiko Sueyoshi, Hiroshi Imai and Yoshihiro Shintani : Film Preparation of ZnO in Ar Gas by Planar Magnetron Sputtering System with Facing ZnO Targets, Proc. 11th International Symposium on Plasma Chemistry, Vol.3, 841-846, (都市), Aug. 1993.

関連情報

Number of session users = 1, LA = 0.78, Max(EID) = 361922, Max(EOID) = 968358.