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登録内容 (EID=85778)

EID=85778EID:85778, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 13:58:16, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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審査 (推奨):
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Iwamura Satoshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.新谷 義廣
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Tada Osamu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) High-Energy Particles in AlN Film Preparation by Reactive Sputtering Technique  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文では,酸化亜鉛と同じく,圧電および光機能性材料である窒化アルミニウム薄膜をスパッタ法で作製しつつ,同時に飛行時間法によるプローブを用いて高速粒子の膜衝撃を観測した.一酸化窒素やOHや酸素原子の巻く衝撃が観測されたが,これは残留水分にその起源があることがわかった.また,膜の結晶性や光透過率の低下(膜の褐色に着色する現象)もこれら粒子の膜衝撃によることを証明した.同時に水素原子の膜衝撃の影響も調べた.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
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(必須): 22 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 418 422 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1983年 3月 初日 (昭和 58年 3月 初日) [継承]
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WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Satoshi Iwamura, Yoshihiro Shintani and Osamu Tada : High-Energy Particles in AlN Film Preparation by Reactive Sputtering Technique, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.22, No.3, 418-422, 1983.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Satoshi Iwamura, Yoshihiro Shintani and Osamu Tada : High-Energy Particles in AlN Film Preparation by Reactive Sputtering Technique, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.22, No.3, 418-422, 1983.

関連情報

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