『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=382735)
| EID=382735 | EID:382735,
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LastModified:2022年11月2日(水) 16:03:17,
Operator:[三木 ちひろ],
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Censor:承認済,
Owner:[永瀬 雅夫],
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| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (紀要その他)
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| ○言語 (必須): | □ | 英語
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| ○招待 (推奨): | □ | 依頼
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| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): |
| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): |
| ○著者 (必須): | 1. | 永瀬 雅夫
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): | 1. | グラフェン (graphene)
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| 2. | 炭化ケイ素 (SiC)
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| 3. | (英) junction diode (日) (読)
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| 4. | (英) tunneling (日) (読)
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| 5. | (英) Far infrared (日) (読)
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| ○発行所 (推奨): | □ | (英) The Electrochemical Society (日) (読)
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| ○誌名 (必須): | □ | ECS Transactions (The Electrochemical Society)
(pISSN: 1938-5862, eISSN: 1938-6737)
| ○ISSN (任意): | □ | 1938-6737
ISSN: 1938-5862
(pISSN: 1938-5862, eISSN: 1938-6737) Title: ECS transactionsTitle(ISO): ECS TransPublisher: Electrochemical Society (NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
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| ○巻 (必須): | □ | 104
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| ○号 (必須): | □ | (4)
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| ○頁 (必須): | □ | 27 31
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2021年 10月 20日 (令和 3年 10月 20日)
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| ○URL (任意): |
| ○DOI (任意): | □ | 10.1149/10404.0027ecst (→Scopusで検索)
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| ○PMID (任意): |
| ○CRID (任意): |
| ○Scopus (任意): | 1. | 2-s2.0-85116860594
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| ○researchmap (任意): |
| ○評価値 (任意): |
| ○被引用数 (任意): |
| ○指導教員 (推奨): |
| ○備考 (任意): | 1. | (英) (日) 「国際会議」として別データ有り EID=382734
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標準的な表示
| 和文冊子 ● |
Masao Nagase : Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate, ECS Transactions, 104, (4), 27-31, 2021. |
| 欧文冊子 ● |
Masao Nagase : Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate, ECS Transactions, 104, (4), 27-31, 2021. |
関連情報
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