| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): | □ | 英語
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| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): |
| ○共著種別 (推奨): | □ | 国内共著 (徳島大学内研究者と国内(学外)研究者との共同研究 (国外研究者を含まない))
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| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所 (2019年3月1日〜)
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| ○著者 (必須): | 1. | (英) Ando Yuto (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | 永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | (英) Deki Manato (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | (英) Taoka Noriyuki (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | (英) Tanaka Atsushi (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | (英) Nitta Shugo (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 7. | (英) Honda Yoshio (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 8. | (英) Nakamura Tohru (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 9. | (英) Amano Hiroshi (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): |
| ○誌名 (必須): | □ | Applied Physics Letters ([American Institute of Physics])
(pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
| ○ISSN (任意): | □ | 0003-6951
ISSN: 0003-6951
(pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118) Title: Applied physics lettersTitle(ISO): Appl Phys LettPublisher: American Institute of Physics (NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login]) | [継承] |
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| ○巻 (必須): | □ | 117
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| ○号 (必須): | □ | 102102
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| ○頁 (必須): |
| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2020年 8月 25日 (令和 2年 8月 25日)
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| ○URL (任意): |
| ○DOI (任意): | □ | 10.1063/5.0010774 (→Scopusで検索)
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| ○PMID (任意): |
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| ○備考 (任意): |