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登録内容 (EID=360116)

EID=360116EID:360116, Map:0, LastModified:2020年8月10日(月) 20:25:34, Operator:[山田 美緒], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[永松 謙太郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨): 国内共著 (徳島大学内研究者と国内(学外)研究者との共同研究 (国外研究者を含まない)) [継承]
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所 (2019年3月1日〜) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Atsushi Tanaka (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2.永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Shigeyoshi Usami (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Maki Kushimoto (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Manato Deki (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Shugo Nitta (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) Yoshio Honda (日) (読)
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8. (英) Michal Bockowski (日) (読)
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9. (英) Hiroshi Amano (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) In this study, V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on a free-standing GaN substrate were observed. Our investigation further revealed that the V-shaped dislocations were newly generated at the interface in the epilayer rather than propagated from the GaN substrate. V-shaped dislocations consist of two straight parts. The straight parts of the V-shaped dislocations were separated from each other in the m-direction and tilted toward the step-flow direction of the GaN epitaxial layer. The V-shaped dislocations are continuous single dislocations having a Burgers vector component of 1a and an intrinsic stacking fault between their straight parts.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): American Institute of Physics [継承]
誌名 (必須): AIP Advances ([American Institute of Physics])
(eISSN: 2158-3226)

ISSN (任意): 2158-3226
ISSN: 2158-3226 (eISSN: 2158-3226)
Title: AIP advances
Title(ISO): AIP Adv
Publisher: American Institute of Physics
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年月日 (必須): 西暦 2019年 9月 5日 (令和 元年 9月 5日) [継承]
URL (任意): https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5114866 [継承]
DOI (任意): 10.1063/1.5114866    (→Scopusで検索) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Tanaka Atsushi, Kentaro Nagamatsu, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal and Amano Hiroshi : V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate, AIP Advances, 9, 9, (頁), 2019.
欧文冊子 ● Tanaka Atsushi, Kentaro Nagamatsu, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal and Amano Hiroshi : V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate, AIP Advances, 9, 9, (頁), 2019.

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