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登録内容 (EID=359288)

EID=359288EID:359288, Map:0, LastModified:2024年8月21日(水) 19:34:46, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[大野 恭秀], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨): 単独著作 (徳島大学内の単一の研究グループ(研究室等)内の研究 (単著も含む)) [継承]
学究種別 (推奨): 博士前期課程学生による研究報告 [継承]
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Kujime Takaya (日) 久次米 孝哉 (読) くじめ たかや
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Taniguchi Yoshiaki (日) 谷口 嘉昭 (読) たにぐち よしあき
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3. (英) Akiyama Daiu (日) 秋山 大宇 (読) あきやま だいう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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4. (英) Kawamura Yusuke (日) 河村 祐輔 (読) かわむら ゆうすけ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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5. (英) Kanai Yasushi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6. (英) Matsumoto Kazuhiko (日) (読)
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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7.大野 恭秀 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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8.永瀬 雅夫
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS ([Wiley-VCH])
(pISSN: 0370-1972, eISSN: 1521-3951)

ISSN (任意): 1521-3951
ISSN: 0370-1972 (pISSN: 0370-1972, eISSN: 1521-3951)
Title: Physica status solidi. B, Basic research
Title(ISO): Phys Status Solidi B Basic Res
Publisher: Wiley
 (NLM Catalog  (NLM Catalog  (Wiley  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 256 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 1900357 1900357 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2019年 9月 1日 (令和 元年 9月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1002/pssb.201900357    (→Scopusで検索) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Takaya Kujime, Yoshiaki Taniguchi, Daiu Akiyama, Yusuke Kawamura, Yasushi Kanai, Kazuhiko Matsumoto, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate, Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, 256, 1900357, 2019.
欧文冊子 ● Takaya Kujime, Yoshiaki Taniguchi, Daiu Akiyama, Yusuke Kawamura, Yasushi Kanai, Kazuhiko Matsumoto, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate, Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, 256, 1900357, 2019.

関連情報

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