| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
| [継承] |
| ○言語 (必須): | □ | 英語
| [継承] |
| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): | □ | Peer Review
| [継承] |
| ○カテゴリ (推奨): | □ | 研究
| [継承] |
| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所 (2019年3月1日〜)
| [継承] |
| ○著者 (必須): | 1. | (英) Ye Z. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 2. | (英) Nitta S. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 3. | 永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 4. | (英) Fujimoto N. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 5. | (英) Kushimoto M. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 6. | (英) Deki M. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 7. | (英) Tanaka A. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 8. | (英) Honda Y. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 9. | (英) Pristovsek M. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 10. | (英) Amano H. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| ○題名 (必須): | □ | (英) Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III Nitride epitaxial growth (日)
| [継承] |
| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): | □ | (英) The decomposition of ammonia (NH3) in nitrogen (N2) ambient was studied under non-equilibrium conditions similar to those in a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor during the epitaxial growth of group-III nitrides. The gas phase was sampled at different positions and analyzed using a time-of-flight mass spectrometry system with a high resolution (better than 0.002u). Our results expand earlier findings. Even at the high temperature of 1200°C, only 26% of NH3 decomposed in a clean metal-free reactor, whereas a higher ratio of NH3 decomposition was realized in the presence of stainless steel. The activation energy in the clean reactor was calculated to be 0.965±0.004eV. These results demonstrate the capability of our setup and shed new light on the elucidation of the vapor phase growth mechanism of group III-nitrides by MOVPE. (日)
| [継承] |
| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): | □ | Elsevier (->組織[Elsevier Science])
| [継承] |
| ○誌名 (必須): | □ | Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
| ○ISSN (任意): | □ | 0022-0248
ISSN: 0022-0248
(pISSN: 0022-0248) Title: Journal of crystal growthTitle(ISO): J Cryst GrowthPublisher: Elsevier B.V. (NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login]) | [継承] |
| [継承] |
| ○巻 (必須): | □ | 516
| [継承] |
| ○号 (必須): |
| ○頁 (必須): | □ | 63 66
| [継承] |
| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2019年 6月 15日 (令和 元年 6月 15日)
| [継承] |
| ○URL (任意): | □ | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024819302015
| [継承] |
| ○DOI (任意): | □ | 10.1016/j.jcrysgro.2019.03.025 (→Scopusで検索)
| [継承] |
| ○PMID (任意): |
| ○CRID (任意): |
| ○Scopus (任意): |
| ○researchmap (任意): |
| ○評価値 (任意): |
| ○被引用数 (任意): |
| ○指導教員 (推奨): |
| ○備考 (任意): |