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登録内容 (EID=339377)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨): □研究 [継承]
○共著種別 (推奨): □国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
○学究種別 (推奨): □博士後期課程学生による研究報告 [継承]
○組織 (推奨): 1.徳島大学.理工学部 (2016年4月1日〜) [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Shen Z. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) He L. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3.敖 金平
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4. (英) Zhang B.J. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5. (英) Liu Y. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Investigation of O3-Al2O3/H2O-Al2O3 dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science ([Wiley-VCH])
(pISSN: 1862-6300, eISSN: 1862-6319)

○ISSN (任意): □1862-6300
ISSN: 1862-6300 (pISSN: 1862-6300, eISSN: 1862-6319)
Title: Physica status solidi. A, Applications and materials science : PSS
Title(ISO): Phys Status Solidi A Appl Mater Sci
Publisher: Wiley
 (NLM Catalog)   (Wiley)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
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○巻 (必須): □213 [継承]
○号 (必須): □10 [継承]
○頁 (必須): □2693 2698 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2016年 5月 20日 (平成 28年 5月 20日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1002/pssa.201532785    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○CRID (任意):
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和文冊子 ● Z. Shen, L. He, Jin-Ping Ao, B.J. Zhang and Y. Liu : Investigation of O3-Al2O3/H2O-Al2O3 dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 213, 10, 2693-2698, 2016.
欧文冊子 ● Z. Shen, L. He, Jin-Ping Ao, B.J. Zhang and Y. Liu : Investigation of O3-Al2O3/H2O-Al2O3 dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 213, 10, 2693-2698, 2016.

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