『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=331331)
| EID=331331 | EID:331331,
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| ○種別 (必須): | □ | 国内講演発表
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| ○言語 (必須): | □ | 日本語
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| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): | □ | 研究
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| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): |
| ○著者 (必須): | 1. | (英) Nashiki Kiyoto (日) 梨子木 清人 (読) なしき きよと
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
| [ユーザ] |
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| 2. | 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Growth of bulk AlN crystal on 6H-SiC substrate (日) 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): |
| ○誌名 (必須): | □ | (英) (日) 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 (読)
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| ○巻 (必須): |
| ○号 (必須): |
| ○頁 (必須): | □ | 87 87
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| ○都市 (必須): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2016年 7月 31日 (平成 28年 7月 31日)
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| ○URL (任意): |
| ○DOI (任意): |
| ○PMID (任意): |
| ○NAID (任意): |
| ○WOS (任意): |
| ○Scopus (任意): |
| ○評価値 (任意): |
| ○被引用数 (任意): |
| ○指導教員 (推奨): |
| ○備考 (任意): |
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標準的な表示
| 和文冊子 ● |
梨子木 清人, 西野 克志 : 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 87, 2016年7月. |
| 欧文冊子 ● |
Kiyoto Nashiki and Katsushi Nishino : Growth of bulk AlN crystal on 6H-SiC substrate, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 87, July 2016. |
関連情報
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