『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=315035)
| EID=315035 | EID:315035,
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LastModified:2024年8月21日(水) 19:34:36,
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| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): | □ | 英語
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| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): | □ | Peer Review
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| ○カテゴリ (推奨): | □ | 研究
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| ○共著種別 (推奨): | □ | 国内共著 (徳島大学内研究者と国内(学外)研究者との共同研究 (国外研究者を含まない))
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| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): |
| ○著者 (必須): | 1. | 大野 恭秀 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | (英) Kanai Yasushi (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | (英) Mori Yuki (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | 永瀬 雅夫
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | (英) Matsumoto Kazuhiko (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): | □ | 英国物理学会
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| ○誌名 (必須): | □ | Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
| ○ISSN (任意): | □ | 1347-4065
ISSN: 0021-4922
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065) Title: Japanese journal of applied physics (2008)Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)Supplier: 社団法人応用物理学会Publisher: Institute of Physics (NLM Catalog)
(CiNii NCID)
(CiNii NCID)
(CiNii NCID)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login]) | [継承] |
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| ○巻 (必須): | □ | 55
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| ○号 (必須): | □ | 6S1
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| ○頁 (必須): | □ | 06GF09 06GF09
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2016年 5月 16日 (平成 28年 5月 16日)
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| ○URL (任意): |
| ○DOI (任意): | □ | 10.7567/JJAP.55.06GF09 (→Scopusで検索)
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| ○PMID (任意): |
| ○CRID (任意): |
| ○WOS : | □ | 000377484100018
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| ○Scopus (任意): | 1. | 2-s2.0-84974559680
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| ○researchmap (任意): |
| ○評価値 (任意): |
| ○被引用数 (任意): |
| ○指導教員 (推奨): |
| ○備考 (任意): |
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標準的な表示
| 和文冊子 ● |
Yasuhide Ohno, Yasushi Kanai, Yuki Mori, Masao Nagase and Kazuhiko Matsumoto : Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates, Japanese Journal of Applied Physics, 55, 6S1, 06GF09, 2016. |
| 欧文冊子 ● |
Yasuhide Ohno, Yasushi Kanai, Yuki Mori, Masao Nagase and Kazuhiko Matsumoto : Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates, Japanese Journal of Applied Physics, 55, 6S1, 06GF09, 2016. |
関連情報
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