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登録内容 (EID=314267)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨): □国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
○学究種別 (推奨): □博士前期課程学生による研究報告 [継承]
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1. (英) Zhang Jiaqi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang Lei (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Wang Qingpeng (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4. (英) Jiang Ying (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5. (英) Li Liuan (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6. (英) Zhu Huichao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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7.敖 金平
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Self-Aligned-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Titanium Nitride Gate  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Chinese Physics B (Institute of Physics Publishing)
(pISSN: 1674-1056)

○ISSN (任意): □1674-1056
ISSN: 1674-1056 (pISSN: 1674-1056, eISSN: 2058-3834)
Title: Chinese physics B = Zhongguo wu li B
Title(ISO): Chin Phys B
Publisher: Institute of Physics
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○巻 (必須): □25 [継承]
○号 (必須): □8 [継承]
○頁 (必須): □087308 087308 [継承]
○都市 (任意): □北京 (Beijing/[中華人民共和国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 2016年 7月 初日 (平成 28年 7月 初日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1088/1674-1056/25/8/087308    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Jiaqi Zhang, Lei Wang, Qingpeng Wang, Ying Jiang, Liuan Li, Huichao Zhu and Jin-Ping Ao : Self-Aligned-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Titanium Nitride Gate, Chinese Physics B, 25, 8, 087308, 2016.
欧文冊子 ● Jiaqi Zhang, Lei Wang, Qingpeng Wang, Ying Jiang, Liuan Li, Huichao Zhu and Jin-Ping Ao : Self-Aligned-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Titanium Nitride Gate, Chinese Physics B, 25, 8, 087308, 2016.

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