| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): | □ | 英語
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| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): | □ | Peer Review
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| ○カテゴリ (推奨): |
| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): |
| ○著者 (必須): | 1. | (英) Takuya Aritsuki (日) 有月 琢哉 (読) ありつき たくや
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
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| 2. | (英) Takeshi Nakashima (日) 中島 健志 (読) なかしま たけし
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
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| 3. | (英) Keisuke Kobayashi (日) 小林 慶祐 (読) こばやし けいすけ
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
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| 4. | 大野 恭秀 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | 永瀬 雅夫
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): | □ | (英) The thermal decomposition of silicon carbide (SiC) is a promising method for producing wafer-scale single-crystal graphene. The optimal growth condition for high-mobility epitaxial graphene fabricated by infrared rapid thermal annealing is discussed in this paper. The surface structures, such as step terrace and graphene coverage structures, on a non-off-axis SiC(0001) substrate were well controlled by varying the annealing time in a range below 10 min. The mobility of graphene grown at 1620 °C for 5 min in 100 Torr Ar ambient had a maximum value of 2089 cm2 V%1 s%1. We found that the causes of the mobility reduction were low graphene coverage, high sheet carrier density, and nonuniformity of the step structure. (日)
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| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): | □ | 応用物理学会
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| ○誌名 (必須): | □ | Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
| ○ISSN (任意): | □ | 0021-4922
ISSN: 0021-4922
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065) Title: Japanese journal of applied physics (2008)Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)Supplier: 社団法人応用物理学会Publisher: Institute of Physics (NLM Catalog)
(CiNii NCID)
(CiNii NCID)
(CiNii NCID)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login]) | [継承] |
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| ○巻 (必須): | □ | 55
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| ○号 (必須): | □ | 6
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| ○頁 (必須): | □ | 06GF03 (4pp)
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2016年 4月 26日 (平成 28年 4月 26日)
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| ○URL (任意): |
| ○DOI (任意): | □ | 10.7567/JJAP.55.06GF03 (→Scopusで検索)
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| ○PMID (任意): |
| ○CRID (任意): |
| ○WOS : | □ | 000377484100012
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| ○Scopus (任意): | 1. | 2-s2.0-84974539388
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| ○機関リポジトリ : | □ | 110895
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| ○researchmap (任意): |
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| ○備考 (任意): |