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登録内容 (EID=25354)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Inoue Naohisa (日) 井上 直久 (読) いのうえ なおひさ
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Mikayama Takeshi (日) 三箇山 毅 (読) みかやま たけし
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Yamanaka Yoichiro (日) 山中 陽一郎 (読) やまなか よういちろう
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Harada, Hideaki (日) 原田 英明 (読) はらだ ひであき
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学籍番号 (推奨):
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5.森 篤史
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon  (日)    [継承]
副題 (任意):
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キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 103 103 [継承]
都市 (必須): 京都 (Kyoto/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2001年 7月 31日 (平成 13年 7月 31日) [継承]
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指導教員 (推奨):
備考 (任意): 1.(英) The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4, 2001  (日)    [継承]
2.(英) 31p-S14-07, G02-2 Bulk crystal #2 Si, Ge defect & fundamentals and compound semiconductors  (日)    [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Naohisa Inoue, Takeshi Mikayama, Yoichiro Yamanaka, Hideaki Harada and Atsushi Mori : Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, (巻), (号), 103, Kyoto, July 2001.
欧文冊子 ● Naohisa Inoue, Takeshi Mikayama, Yoichiro Yamanaka, Hideaki Harada and Atsushi Mori : Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, (巻), (号), 103, Kyoto, July 2001.

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