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登録内容 (EID=23673)

EID=23673EID:23673, Map:0, LastModified:2019年2月1日(金) 10:36:56, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Basak Durga (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Fareed RS Qhalid (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) Characterization of RIE etched surface of GaN using methane gas with chlorine plasma  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Vacuum Science & Technology B (American Vacuum Society)
(resolved by 1071-1023)
ISSN: 1071-1023 (pISSN: 1071-1023, eISSN: 0734-211X)
Title: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures : processing, measurement, and phenomena : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol B Microelectron Nanometer Struct Process Meas Phenom
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (Scopus)   (CrossRef)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 0734-211X)
ISSN: 1071-1023 (pISSN: 1071-1023, eISSN: 0734-211X)
Title: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures : processing, measurement, and phenomena : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol B Microelectron Nanometer Struct Process Meas Phenom
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (Scopus)   (CrossRef)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])

○ISSN (任意):
[継承]
○巻 (必須): □18 [継承]
○号 (必須): □5 [継承]
○頁 (必須): □2491 2494 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1116/1.1289551    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意): □2-s2.0-0034266834 [継承]
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Durga Basak, Katsushi Nishino, Qhalid RS Fareed and Shiro Sakai : Characterization of RIE etched surface of GaN using methane gas with chlorine plasma, Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.5, 2491-2494, 2000.
欧文冊子 ● Durga Basak, Katsushi Nishino, Qhalid RS Fareed and Shiro Sakai : Characterization of RIE etched surface of GaN using methane gas with chlorine plasma, Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.5, 2491-2494, 2000.

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