『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=223192)
EID=223192 | EID:223192,
Map:0,
LastModified:2011年2月28日(月) 17:22:48,
Operator:[永瀬 雅夫],
Avail:TRUE,
Censor:0,
Owner:[永瀬 雅夫],
Read:継承,
Write:継承,
Delete:継承.
|
○学科・専攻 (必須): | 1. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
| [継承] |
○学位 (必須): | □ | 学士
| [継承] |
○言語 (推奨): |
○氏名 (必須): |
○題名 (必須): | □ | (英) (日) 摩擦像によるSiC上グラフェンの層数評価
| [継承] |
○副題 (任意): |
○要約 (任意): |
○キーワード (推奨): |
○年月日 (必須): | □ | 西暦 2011年 3月 23日 (平成 23年 3月 23日)
| [継承] |
○指導教員 (必須): | 1. | 永瀬 雅夫 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| [継承] |
○指導協力教員 (任意): |
○審査教員 (必須): | 1. | 永瀬 雅夫 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| [継承] |
○備考 (任意): |
|
標準的な表示
和文冊子 ● |
[学士] : (氏名) : 摩擦像によるSiC上グラフェンの層数評価, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]. |
欧文冊子 ● |
[学士] : (氏名) : 摩擦像によるSiC上グラフェンの層数評価, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]. |
関連情報
Number of session users = 0, LA = 2.11, Max(EID) = 361546, Max(EOID) = 967713.