『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=223191)

EID=223191EID:223191, Map:0, LastModified:2011年2月28日(月) 17:21:20, Operator:[永瀬 雅夫], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[永瀬 雅夫], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
学科・専攻 (必須): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
学位 (必須): 学士
学位名称 (必須):
[継承]
言語 (推奨):
氏名 (必須):
題名 (必須): (英)   (日) ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
年月日 (必須): 西暦 2011年 3月 23日 (平成 23年 3月 23日) [継承]
指導教員 (必須): 1.永瀬 雅夫 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
指導協力教員 (任意):
審査教員 (必須): 1.永瀬 雅夫 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [学士] : (氏名) : ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫].
欧文冊子 ● [学士] : (氏名) : ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫].

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.51, Max(EID) = 361923, Max(EOID) = 968362.