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登録内容 (EID=216869)

EID=216869EID:216869, Map:[2010/物理化学特論], LastModified:2011年1月20日(木) 10:13:50, Operator:[鈴木 良尚], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.化学応用工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2011年 (平成 23年) [継承]
名称 (必須): (英) Advanced Physical Chemistry (日) 物理化学特論 (読) ぶつりかがくとくろん
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形態 (推奨): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.環境創生工学専攻.化学機能創生コース]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.魚崎 泰弘
肩書 (任意):
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2.鈴木 良尚 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.物質機能化学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.物質機能化学講座])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) The main goal of this class is to understand the relationship between the principle of physical chemistry and real phenomena. Solvation, crystal growth are the main topics of this class.  (日) 溶液中で起こる様々な物理化学的現象,特に溶媒和,結晶成長というトピックスを通して,物理化学の基礎的な原理と実際の現象との結びつきについて理解を深める.   [継承]
概要 (必須): (英) (Solvation phenomena) Many chemical reactions are studied in liquids. Although solvation process plays a key role in these reactions, it is hard to understand the solvation quantitatively. In this lecture, "solvation thermodynamics" based on statistical mechanics is introduced and the methods to understand the solvation theoretically are explained. (Crystal Growth) Concepts and technology of crystal growth play an important role in design of materials and structure analysis. The main goal of this class is to provide a solid introduction to the fundamentals of crystal growth that can be used to describe various phenomena involving equilibrium conditions, rate processes, surface or interface properties, etc.  (日) (溶媒和)液体中で化学反応を研究することが多い.それらの反応で,溶媒和が大きく関与するが,定量的に理解することは困難な場合が多い.そのため,統計力学に基づく「溶媒和熱力学」を導入して溶媒和を理論的に解釈する手法について講述する. (結晶成長)結晶成長学は,材料設計や構造解析に対し重要な役割を果たしている.その結晶成長学を通して,平衡状態の熱力学,反応速度論,表面界面の化学などについてより深く学ぶ.   [継承]
キーワード (推奨): 1.溶媒和 (solvation) [継承]
2.結晶成長 (crystal growth) [継承]
先行科目 (推奨): 1.基礎物理化学 ([2011/[徳島大学.工学部.化学応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/基礎物理化学])
必要度 (任意):
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関連科目 (推奨): 1.物質機能化学特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.環境創生工学専攻.化学機能創生コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/物質機能化学特論])
関連度 (任意):
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要件 (任意): (英) Students are required to have a good understanding of undergraduate-level physical chemistry and related subjects.  (日) 学部教育における物理化学を理解していること.   [継承]
注意 (任意): (英)   (日) 授業を受ける際には,2時間の授業時間毎に2時間の予習と2時間の復讐をしたうえで授業を受けることが,授業の理解と単位取得のために必要である.   [継承]
目標 (必須): 1.(英) To understand the fundamentals of solvation phenomena  (日) 溶媒和現象の基礎を理解する  
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2.(英) To understand the fundamentals of crystal growth  (日) 結晶成長の基礎を理解する  
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計画 (必須): 1.(英) Statistical mechanics and thermodynamics  (日) (溶媒和)統計力学と熱力学  
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2.(英) Chemical potential  (日) (溶媒和)化学ポテンシャル  
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3.(英) Solvation thermodynamics  (日) (溶媒和)溶媒和熱力学  
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4.(英) Solvation energy  (日) (溶媒和)溶媒和エネルギー  
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5.(英) Ion solvation  (日) (溶媒和)イオン溶媒和  
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6.(英) Solubilities of solids in supercritical fluids  (日) (溶媒和)超臨界流体中の固体の溶解度  
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7.(英) Solvation in supercritical fluids  (日) (溶媒和)超臨界流体中の溶媒和  
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8.(英) Thermodynamics of phase transition  (日) (結晶成長)相変化の熱力学  
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9.(英) Nucleation  (日) (結晶成長)結晶の誕生  
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10.(英) Ideal growth rate of crystal  (日) (結晶成長)理想的成長  
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11.(英) Surface structure and roughning transition  (日) (結晶成長)表面構造とラフニング  
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12.(英) Surface kinetics  (日) (結晶成長)表面 kinetics  
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13.(英) Protein crystallization  (日) タンパク質の結晶化  
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14.(英) Protein crystallography  (日) タンパク質の結晶構造解析  
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15.(英) Colloidal crystals  (日) コロイド結晶  
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評価 (必須): (英) Assignments count 100%.  (日) 到達目標1は,授業計画1-7,到達目標2は,授業計画8-15を理解することで達成される.達成度は授業中に課すレポート100%で評価する.   [継承]
再評価 (必須):
対象学生 (任意): 開講コース学生のみ履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英) To be announced in the class  (日) 講義中に適宜紹介する   [継承]
参考資料 (推奨): 1.(英) Yukio Saito, Statistical Physics of Crystal Growth, World Scientific, Singapore, 1996  (日) 齋藤幸夫著 結晶成長(裳華房フィジックスライブラリー)   [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.魚崎 泰弘
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
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