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登録内容 (EID=216817)

EID=216817EID:216817, Map:[2010/半導体デバイス物理特論], LastModified:2010年11月29日(月) 20:11:36, Operator:[水本 匡昭], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2011年 (平成 23年) [継承]
名称 (必須): (英) Semiconductor Device Physiscs (日) 半導体デバイス物理特論 (読) はんどうたいでばいすぶつりとくろん
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形態 (推奨): 1.講義および演習 [継承]
コース (必須): 1.2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.大野 泰夫
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) The purpose of this lecture is to understand the background physics which governs the electrical performances of semiconductor devices.  (日) 半導体デバイスの動作の基本となる物理と,そのデバイスの電気特性との関連を理解する.   [継承]
概要 (必須): (英) The lecture gives carrier transport theory and equations based on which semiconductor electron devices including various types of transistors, high-field phenomena and short-channel effects in miniaturized transistors and deep levels which are the origin of various malfunctions in semiconductor devices.  (日) 半導体デバイス,特に各種電子デバイス,トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理,微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果,デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について,その物理的原理から解説する.   [継承]
キーワード (推奨): 1.デバイス物理 (device physics) [継承]
2.半導体デバイス (semiconductor device) [継承]
先行科目 (推奨): 1.電子デバイス特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/電子デバイス特論])
必要度 (任意):
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関連科目 (推奨): 1.光半導体デバイス特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2010/光半導体デバイス特論])
関連度 (任意):
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2.無機光機能材料論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2011/無機光機能材料論])
関連度 (任意):
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要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英) Understand the carrier transport in semiconductors based on the Boltzmann transport equation. 2. Understand the velocity saturation effects and 2-dimensional field distribution effects in miniaturized transistors. 3. Understand the electrical behavior of deep traps in semiconductors based on Shockley-Reed-Hall statistics.  (日) 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する.2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象,2次元電界分布効果を理解する.3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する.  
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計画 (必須): 1.(英)   (日) デバイス物理の基本方程式  
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2.(英)   (日) ボルツマン輸送方程式  
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3.(英)   (日) 電子流と熱流  
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4.(英)   (日) ホットキャリア効果  
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5.(英)   (日) 電子ガスの粘性とMOS表面電子移動度  
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6.(英)   (日) 短チャネル効果  
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7.(英)   (日) デバイス微細化の限界  
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8.(英)   (日) 大規模高速システムとデバイス特性  
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9.(英)   (日) 深い準位に対するSRH統計  
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10.(英)   (日) 電子トラップとホールトラップ  
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11.(英)   (日) サイドゲート効果  
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12.(英)   (日) 周波数分散  
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13.(英)   (日) 化合物半導体とシリコンの比較  
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14.(英)   (日) プロセスシミュレーション  
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15.(英)   (日) デバイスシミュレーション  
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16.(英)   (日) テスト  
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評価 (必須): (英) Reports for each theme and examination  (日) テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する.   [継承]
再評価 (必須): (英) Reexamination is prepared for the students who get points of 40-59 % at the first examination. The students who have got points below 40 % should select a class in the next year.  (日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう. 評価点の最高は79点とする. 第1回試験において,40点未満の場合は再受講とする.   [継承]
対象学生 (任意): 開講コース学生のみ履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英) S. M. Sze, Kwok K. Ng, "Physics of Semiconductor Devices," 3rd Ed.  (日)    [継承]
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.大野 泰夫
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英) This lecture will be given in English.  (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある.   [継承]

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