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登録内容 (EID=197419)

EID=197419EID:197419, Map:[2009/半導体工学特論], LastModified:2009年11月25日(水) 16:34:34, Operator:[水本 匡昭], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2010年 (平成 22年) [継承]
名称 (必須): (英) Advanced Theory of Semiconductors (日) 半導体工学特論 (読) はんどうたいこうがくとくろん
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形態 (推奨): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2010/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程] [継承]
2.2010/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.知能情報システム工学コース]/[博士前期課程] [継承]
3.2010/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) To understand semiconductor physics and fundamental device operations for various semiconductor devices  (日) 各種半導体デバイスの基礎となる半導体物理および基本的なデバイスの動作原理を理解する.   [継承]
概要 (必須): (英) Semiconductor physics, especially behavior of carriers in semiconductor, is described. Properties of pn junction and Schottky barrier, including non-ideal case, are also lectured.  (日) 半導体の基本的な性質,特にキャリアの挙動について詳述する.また,pn接合やショットキー障壁の特性について,理想的でない場合も含めて述べる.本科目は,工業に関する科目である.   [継承]
キーワード (推奨): 1.半導体 (semiconductor) [継承]
2. (英) metal-semiconductor contact (日) 金属-半導体接触 (読) [継承]
3. (英) pn junction diode (日) pn接合ダイオード (読) [継承]
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨): 1.デバイスプロセス特論 ([2010/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2009/デバイスプロセス特論])
関連度 (任意):
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2.電子デバイス特論 ([2010/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2009/電子デバイス特論])
関連度 (任意):
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3.光デバイス特論 ([2010/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2009/光デバイス特論])
関連度 (任意):
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要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英) To understand behavior of carries (such as scattering mechanisms) in semiconductor  (日) 半導体中でのキャリアの挙動(散乱機構など)を説明できる.  
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2.(英) To solve diffusion equations in simple conditions  (日) 簡単な条件での拡散方程式を解くことができる.  
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3.(英) To understand properties of pn junction and Schottky barrier  (日) pn接合やショットキー障壁の特性を説明できる.  
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計画 (必須): 1.(英) Crystal Structure  (日) 結晶構造  
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2.(英) Energy Bands  (日) エネルギーバンド  
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3.(英) Carrier Concentration at Thermal Equilibrium  (日) 熱平衡状態におけるキャリア密度  
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4.(英) Carrier Transport  (日) キャリアの輸送  
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5.(英) Phonon  (日) フォノン  
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6.(英) High-Field Effect  (日) 高電界効果  
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7.(英) Continuity Equations and Diffusion Equations of Carriers  (日) キャリアの連続の方程式および拡散方程式  
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8.(英) Band Structure of Metal-Semiconductor Contact  (日) 金属-半導体接触のバンド構造  
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9.(英) Current Transport Processes of Schottky Barrier  (日) ショットキー障壁の電流輸送機構  
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10.(英) Charcterization of Schottky Barrier Height  (日) ショットキー障壁の障壁高さの評価  
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11.(英) Ohmic Contact  (日) オーミック接触  
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12.(英) Band Structure of pn Junction Diode  (日) pn接合ダイオードのバンド構造  
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13.(英) Capacitance-Voltage Characteristics of pn Junction Diode  (日) pn接合ダイオードの容量-電圧特性  
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14.(英) Current-Voltage Characteristics of pn Junction Diode  (日) pn接合ダイオードの電流-電圧特性  
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15.(英) Heterojunction  (日) ヘテロ接合  
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16.(英) Examination  (日) 試験  
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評価 (必須): (英) Report 50%, Examination 50%. More than 60% is required to pass this class.  (日) レポート50% 試験50% 合格には60%以上が必要.   [継承]
再評価 (必須):
対象学生 (任意):
教科書 (必須): 1.(英) Physics of Semiconductor Devices, by S.M.Sze  (日)    [継承]
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
オフィスアワー (任意):
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