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登録内容 (EID=196843)

EID=196843EID:196843, Map:0, LastModified:2010年1月13日(水) 16:59:07, Operator:[井須 俊郎], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.生物工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学部•昼間 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2010年 (平成 22年) [継承]
名称 (必須): (英) Introduction to Semiconductor Nanotechnology (日) 半導体ナノテクノロジー基礎論 (読) はんどうたいなのてくのろじーきそろん
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形態 (不用): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2010/[徳島大学.工学部.生物工学科]/[昼間コース] [継承]
担当教員 (必須): 1.井須 俊郎
肩書 (任意):
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2.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 半導体エレクトロニクスの先端分野で用いられているナノテクノロジーについて基礎的な概念を理解させる.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) 半導体のナノ構造が生み出す性質を理解するための基礎知識として,半導体の電気的特性,ナノ構造における量子力学的効果など,半導体ナノ構造の特徴について説明する.これらの半導体ナノ構造を用いた各種の電子デバイス,光デバイスについて概説し,さらに半導体ナノ構造の作製の手法とそれらの構造や特性の測定評価方法について解説する.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) (日) ナノ量子構造 (読) [継承]
2. (英) (日) 半導体ナノ物性 (読) [継承]
3. (英) (日) 電子デバイス (読) [継承]
4. (英) (日) 光デバイス (読) [継承]
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意): (英)   (日) 特になし.   [継承]
注意 (任意): (英)   (日) 微分方程式1,量子力学,統計力学などを履修しておくことが望ましい.   [継承]
目標 (必須): 1.(英)   (日) 半導体ナノ構造の特徴と応用例について理解する.  
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計画 (必須): 1.(英)   (日) 半導体ナノ構造とは  
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2.(英)   (日) 半導体の性質  
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3.(英)   (日) 電子状態の量子化  
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4.(英)   (日) 低次元量子構造  
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5.(英)   (日) 半導体ナノ構造の光物性  
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6.(英)   (日) 光デバイス応用(発光受光素子)  
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7.(英)   (日) 光デバイス応用(光制御素子)  
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8.(英)   (日) 半導体ナノ構造の電子物性  
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9.(英)   (日) 電子デバイス応用(HBT)  
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10.(英)   (日) 電子デバイス応用(FET)  
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11.(英)   (日) 結晶成長法による形成技術  
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12.(英)   (日) 微細加工による形成技術  
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13.(英)   (日) ナノ構造測定手法  
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14.(英)   (日) 電気的特性評価  
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15.(英)   (日) 光学的特性評価  
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16.(英)   (日) 期末試験  
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評価 (必須): (英)   (日) レポート(60%),試験(40%)   [継承]
JABEE合格 (任意):
JABEE関連 (任意):
対象学生 (任意): (英)   (日) 関心のある学生は誰でも受講可.   [継承]
教科書 (必須): 1.(英)   (日) 特になし.   [継承]
参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 「半導体超格子の物理と応用」日本物理学会編,培風館   [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.井須 俊郎
オフィスアワー (任意):
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2.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
オフィスアワー (任意):
[継承]
科目コード (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 半導体ナノテクノロジー基礎論 / Introduction to Semiconductor Nanotechnology
欧文冊子 ● Introduction to Semiconductor Nanotechnology / 半導体ナノテクノロジー基礎論

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