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登録内容 (EID=18722)

EID=18722EID:18722, Map:0, LastModified:2020年11月8日(日) 19:32:01, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術レター (ショートペーパー) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨): □研究 [継承]
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.三重大学 [継承]
2.学習院大学 [継承]
3.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
4.東京農工大学 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Kangawa Yoshihiro (日) 寒川 義裕 (読) かんがわ よしひろ
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Ito Tomonori (日) 伊藤 智徳 (読) いとう とものり
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3.森 篤史
○役割 (任意): □(英)   (日) 議論   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4. (英) Koukitu Akinori (日) 纐纈 明伯 (読) こうきつ あきのり
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Anomalous behavior of excess energy curves of InxGa1-xN grown on GaN and InN  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英) We worked out the excess energies for bulk InxGa1-xN and InxGa1-xN thin films on GaN and InN in order to investigate their thermodynamic stabilities. It has been found that the excess energy maximum shifted toward x~0.80 for InGaN/GaN and x~0.10 for InGaN/InN due to the lattice constraint in contrast with x~0.50 for bulk. Moreover, it has been revealed that the excess energy for InGaN/GaN is larger than that for bulk at x>0.65. This suggests that In-rich films are less stable on GaN than bulk state. These results indicate that the lattice constraint has a significant influence on thermodynamic stabilities of thin films.  (日)    [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

○ISSN (任意): □0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
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○巻 (必須): □220 [継承]
○号 (必須): □4 [継承]
○頁 (必須): □401 404 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2000年 12月 1日 (平成 12年 12月 1日) [継承]
○URL (任意): □http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024800008459 [継承]
○DOI (任意): □10.1016/S0022-0248(00)00845-9    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitu : Anomalous behavior of excess energy curves of InxGa1-xN grown on GaN and InN, Journal of Crystal Growth, Vol.220, No.4, 401-404, 2000.
欧文冊子 ● Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitu : Anomalous behavior of excess energy curves of InxGa1-xN grown on GaN and InN, Journal of Crystal Growth, Vol.220, No.4, 401-404, 2000.

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