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登録内容 (EID=16852)

EID=16852EID:16852, Map:0, LastModified:2001年6月7日(木) 16:03:49, Operator:[四辻 真紀], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.サテライトベンチャービジネスラボラトリ (〜2005年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Basak Durga (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Yamashita Kenji (日) 山下 憲二 (読) やました けんじ
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Sugahara Tomoya (日) 菅原 智也 (読) すがはら ともや
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Fareed Qhalid (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Nakagawa Daisuke (日) 中川 大輔 (読) なかがわ だいすけ
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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7.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog)   (Webcat Plus)   (Webcat Plus)   (Webcat Plus)   (Scopus)   (Scopus)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])

○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □38 [継承]
○号 (必須): □4B [継承]
○頁 (必須): □2646 2651 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1999年 4月 30日 (平成 11年 4月 30日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999.
欧文冊子 ● Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999.

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