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登録内容 (EID=16438)

EID=16438EID:16438, Map:0, LastModified:2007年8月1日(水) 12:29:21, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Taniguchi Daisike (日) 谷口 大輔 (読) たにぐち だいすけ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Film Deposited by d.c. Sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,dcプレーなマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力を,原子間力顕微鏡およびX線回折法により実験的検証をしたものである.薄膜の作製条件としては,一定窒素ガス圧,一定基板温度の下で,スパッタリングパワーをパラメータとして変化させた.得られた結果は次のとおりである.(1)結晶サイズと薄膜の厚さはスパッタリングパワーと共に増加した.もっとも良いc軸配向性はスパッタリングパワーが140Wの時に得られた.(3)スパッタリングパワーが低いときには引っ張り残留応力が,高いとき(154W,および180W)には圧縮残留応力になった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 223 228 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 23日 (平成 11年 11月 23日) [継承]
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Daisike Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Film Deposited by d.c. Sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 223-228, Tokushima, Nov. 1999.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Daisike Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Film Deposited by d.c. Sputtering, Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, (巻), (号), 223-228, Tokushima, Nov. 1999.

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