| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): |
| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): |
| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
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| ○著者 (必須): | 1. | (英) Sato Hisao (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | (英) Hao Maosheng (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): | □ | (英) (日) MOCVD成長,考察,記述
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| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | (英) Kurai Satoshi (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | (英) Yamashita Ken-ichi (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 7. | 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 8. | 酒井 士郎
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Surface Pretreatment of Bulk GaN for Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): | □ | (英) (日) 昇華法により成長されたバルクGaN上へ,有機金属気相成長法によりホモエピタキシャル成長を行い,バルク表面の前処理効果について検討した.平滑な表面をもち,強いカソードルミネッセンス光を発する試料が,バルク結晶に対して適切な前処理を施すことにより得られた.このカソードルミネッセンス光は,サファイア基板上へ成長させたGaN膜から得られるものよりも強い.また,ホモエピタキシャル膜の転位密度は,適切な前処理により,著しく減少する事を示した.
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| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): |
| ○誌名 (必須): | □ | Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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| (resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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| ○巻 (必須): | □ | 37
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| ○号 (必須): | □ | 2
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| ○頁 (必須): | □ | 621 631
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 1998年 2月 1日 (平成 10年 2月 1日)
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