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登録内容 (EID=156639)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wakejima A. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Tomita N. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4. (英) Shimomura S. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5. (英) Adachi A. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6. (英) Sano N. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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7. (英) Hiyamizu S. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Preferential migration of indium atoms on the (411)A plane in InGaAs grown on GaAs channeled substrates by molecular beam epitaxy  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英) Lateral profiles of In content in a 1.5 μm thick InxGa1-xAs (x~0.2) layer grown on GaAs channeled substrates (CSs) with (411)A side-slopes by molecular beam epitaxy (MBE) have been investigated with the use of energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The observed profiles of the In content suggested that In atoms migrate preferentially in the [122] direction on the (411)A plane during MBE growth. This preferential migration of In atoms along [122] on the (411)A plane was confirmed by comparing observed lateral profiles of In content in InGaAs layers grown on GaAs CSs and simulated In profiles which are calculated by taking into account of an additional one-way flow of In atoms along [122].  (日)    [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □150 [継承]
○号 (必須):
○頁 (必須): □487 491 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1995年 1月 1日 (平成 7年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1016/0022-0248(95)80259-F    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○NAID (任意):
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○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Takahiro Kitada, A. Wakejima, N. Tomita, S. Shimomura, A. Adachi, N. Sano and S. Hiyamizu : Preferential migration of indium atoms on the (411)A plane in InGaAs grown on GaAs channeled substrates by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.150, (号), 487-491, 1995.
欧文冊子 ● Takahiro Kitada, A. Wakejima, N. Tomita, S. Shimomura, A. Adachi, N. Sano and S. Hiyamizu : Preferential migration of indium atoms on the (411)A plane in InGaAs grown on GaAs channeled substrates by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.150, (号), 487-491, 1995.

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