『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=150310)

EID=150310EID:150310, Map:[2006/集積回路1], LastModified:2007年12月26日(水) 20:47:04, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学部•昼間 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2007年 (平成 19年) [継承]
名称 (必須): (英) Integrated Circuit (I) (日) 集積回路1 (読) しゅうせきかいろ
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コース (必須): 1.2007/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース] [継承]
担当教員 (必須): 1.大野 泰夫
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 集積回路技術が産業として大きく発展した技術的背景の理解と共に,プロセス設計,デバイス設計に必要な基礎知識の習得を目標とする.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) MOS集積回路作製の基本的プロセス,酸化·拡散などの要素プロセス技術,MOSトランジスタ特性を理解する上で重要なMOSダイオード特性,しきい値電圧,グラジュアルチャネル近似,配線や微細化の限界などについて講義と演習を行う.   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨): 1.半導体工学 ([2007/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2006/半導体工学])
必要度 (任意):
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2.電子デバイス ([2007/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2006/電子デバイス])
必要度 (任意):
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関連科目 (推奨): 1.集積回路2 ([2007/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2006/集積回路2])
関連度 (任意):
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要件 (任意):
注意 (任意): (英)   (日) 演習,試験では関数電卓持参のこと.   [継承]
目標 (必須): 1.(英)   (日) MOSFET動作原理,グラジュアルチャネル近似,スケーリング則の理解  
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計画 (必須): 1.(英)   (日) ICビジネス  
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2.(英)   (日) プレーナテクノロジ  
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3.(英)   (日) 要素プロセス  
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4.(英)   (日) MOSダイオード特性  
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5.(英)   (日) しきい値  
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6.(英)   (日) 演習  
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7.(英)   (日) 半導体での電流輸送  
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8.(英)   (日) MOSトランジスタ  
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9.(英)   (日) グラジュアルチャネル近似  
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10.(英)   (日) 回路形式とトランジスタ特性  
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11.(英)   (日) 演習  
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12.(英) CMOS  (日) CMOS  
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13.(英)   (日) スケーリング則  
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14.(英)   (日) LSIにおける配線の問題  
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15.(英)   (日) 微細化極限  
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16.(英)   (日) 最終試験  
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評価 (必須): (英)   (日) 講義に対する理解の評価は,平常点(レポートの提出状況·内容)および試験により評価する.   [継承]
JABEE合格 (任意):
JABEE関連 (任意): (英)   (日) (D)専門基礎50%,(E)専門分野(物性デバイス)50%   [継承]
対象学生 (任意): 開講コース学生のみ履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英)   (日) 未定   [継承]
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.大野 泰夫
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英)   (日) 本科目は同学期に開講される「集積回路2」と連携して講義·演習を行う.「半導体工学」,「電子デバイス」を受講していることが望ましい.   [継承]
2.(英)   (日) 平常点と試験の比率は2:8とする.   [継承]

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和文冊子 ● 集積回路1 / Integrated Circuit (I)
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