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登録内容 (EID=125307)

EID=125307EID:125307, Map:0, LastModified:2010年1月3日(日) 21:58:48, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.光応用工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2006年 (平成 18年) [継承]
名称 (必須): (英) Lecture in Optical Materials and Devices, Part 1 (日) 光機能材料·光デバイス論1 (読) ひかりきのうざいりょう ひかりでばいすろん
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形態 (推奨): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.福井 萬壽夫
肩書 (任意):
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2.非常勤講師 ([教職員.教員]/[非常勤])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 1 [継承]
目的 (必須): (英) To understand the current trends of the optical and/or optoelectronic materials and devices.  (日) 光半導体材料工学や半導体光デバイスについて,最近の技術動向,研究動向を理解することを目的とする.   [継承]
概要 (必須): (英) This course will cover several several topics on the current trends of the optical and/or optoelectronic materials and devices. Topics treated are focused on the latest fabrication technology and the research for the device application.  (日) 光機能材料および光デバイスに関連する分野における最近の技術動向,研究動向を述べ,今後の展開がどのように期待されるかを講述する.この授業は工業に関する科目である.   [継承]
キーワード (推奨): 1.半導体 (semiconductor) [継承]
2.発光ダイオード (LED/->キーワード[発光ダイオード]) [継承]
3.レーザダイオード (laser diode) [継承]
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨): 1.光デバイス ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]])
関連度 (任意):
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2.光物性工学 ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]])
関連度 (任意):
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要件 (任意): (英) Students must have enough knowledges of semiconductor physics comparable to contents in lectures on semiconductor physics for undergraduate students.  (日) 学部生に対する半導体物性の授業内容程度の知識を有すること.   [継承]
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英) To understand advantages of Nitride semiconductors compared with other semiconductors.  (日) 窒化物半導体の特徴を理解できる.  
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2.(英) To understand the outline of technologies for fabrication process of optoelectronic devices  (日) 半導体結晶成長技術,光デバイスプロセス技術の概要を理解できる.  
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3.(英) To understand trends of developments and researches for optoelectronic devices  (日) 最近の光デバイス技術動向,研究動向を理解できる.  
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計画 (必須): 1.(英) guidance  (日) ガイダンス  
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2.(英) semiconductor materials for optoelectronic devices  (日) 光デバイスのための半導体材料  
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3.(英) Advantages of Nitride semiconductor  (日) 窒化物半導体の特徴  
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4.(英) Fabrication of optoelectronic devices by Nitride semiconductor  (日) 窒化物半導体デバイスの作製  
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5.(英) Principle of light emitting diode and laser diode  (日) 発光ダイオードとレーザダイオードの原理  
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6.(英) History of development for semiconductor light emitting deices  (日) 半導体発光デバイスの開発の歴史  
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7.(英) Trends on the development of high power light emitting diode  (日) 高出力型発光ダイオードの開発の現状  
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8.(英) Trends on the development of UV light emitting diode  (日) 紫外発光ダイオードの開発の現状  
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9.(英) Trends on the development of UV and Blue laser diodes  (日) 紫外および青色レーザダイオードの開発の現状  
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10.(英) Applications of light emitting diode  (日) 発光ダイオードの応用  
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11.(英) Applications of laser diode  (日) レーザダイオードの応用  
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12.(英)   (日) 予備日  
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評価 (必須): (英) Activity and attendance 40%, reports 60%  (日) 積極性 40%,レポート60%   [継承]
再評価 (必須): (英) There are no plans.  (日) なし   [継承]
対象学生 (任意):
教科書 (必須): 1.(英) no text  (日) なし   [継承]
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.福井 萬壽夫
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
備考 (任意):

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和文冊子 ● 光機能材料·光デバイス論1 / Lecture in Optical Materials and Devices, Part 1
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