| ○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2006年 (平成 18年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Advanced Optoelectronic Devices (日) 光デバイス特論 (読) ひかりでばいすとくろん
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| ○形態 (推奨): |
| ○コース (必須): | 1. | 2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 酒井 士郎
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) Understanding of opt-electronic devices (日) 光電子デバイスの理解
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| ○概要 (必須): | □ | (英) I lecture on an optical amplification and its effect on a semiconductor laser and optical properties of semiconductors. Carrier and light confinements, reflection and guided mode stripe lasers, and the quantum confinement hetero-structure lasers are explained. Reports are required in each of the step, and it is bases of final grade. Lecture schedule are follows. 1. Optical confinement and wave-guide. 2. v-b curves and effective index. 3. Einstein's relation in a semiconductor and black body radiation. 4. Semiconductor light absorption, spontaneous and stimulated emission. 5. Matrix element and density of state of a semiconductor. 6. Optical amplification and the various model calculation in a semiconductor. 7. Optical amplification and semiconductor lasers. 8. The design of a semiconductor laser. 9. The growth of a semiconductor laser. 10. Summary. (日) 半導体における光増幅現象とその半導体レーザへの応用，半導体の物性が光利得に及ぼす影響について講義する．ダブルヘテロ構造におけるキャリアと光の閉じこめの定量的な解析，利得ガイドと屈折率ガイドを利用したストライプレーザ，さらには量子効果半導体レーザについて解説する．講義の各段階でレポートを課し，成績評価の一部とする．講義の予定は以下の通り． 1．誘電体多層構造における光の閉じこめと光導波 2．v-bカーブと有効屈折率 3．半導体におけるアインシュタインの関係式と黒体幅射 4．半導体の光吸収，自然放出と誘導放出 5．半導体における遷移行列と状態密度 6．半導体における光利得の種々のモデル計算 7．光利得と半導体レーザ 8．半導体レーザの最適設計 9．半導体レーザの作製方法 10．まとめ
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| ○キーワード (推奨): | 1. | (英) laser (日) レーザ (読) レーザ
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| 2. | 半導体 (semiconductor)
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| 3. | (英) light confinement (日) 光閉じこめ (読) ひかりとじこめ
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| ○先行科目 (推奨): |
| ○関連科目 (推奨): |
| ○要件 (任意): | □ | (英) Students are required to have a good understand undergraduate level physics of semiconductor. (日) 半導体工学を理解していること
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| ○注意 (任意): |
| ○目標 (必須): | 1. | (英) To understand of the opto-electronic semiconductors (日) 光オプトエレクトロニクスに関する理解
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) Optical confinement and wave-guide. (日) 誘電体多層構造における光の閉じ込めと光導波
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| 2. | (英) v-b curves and effective index 1. (日) VBカーブと有効屈折率 1
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| 3. | (英) v-b curves and effective index 2. (日) VBカーブと有効屈折率 2
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| 4. | (英) Einstein's relation in a semiconductor and black body radiation. (日) 半導体のおけるアインシュタインの式と黒体放射
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| 5. | (英) Semiconductor light absorption, spontaneous and stimulated emission. (日) 半導体の光吸収，自然放出，誘導放出
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| 6. | (英) Matrix element and density of state of a semiconductor 1. (日) 半導体における遷移行列と状態密度 1
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| 7. | (英) Matrix element and density of state of a semiconductor 2. (日) 半導体における遷移行列と状態密度 2
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| 8. | (英) Optical amplification and the various model calculation in a semiconductor 1. (日) 半導体における光利得とモデル計算 1
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| 9. | (英) Optical amplification and the various model calculation in a semiconductor 2. (日) 半導体における光利得とモデル計算 2
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| 10. | (英) Optical amplification and semiconductor lasers 1. (日) 光利得と半導体レーザ 1
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| 11. | (英) Optical amplification and semiconductor lasers 2. (日) 光利得と半導体レーザ 2
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| 12. | (英) The design of a semiconductor laser 1. (日) 半導体レーザの最適設計 1
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| 13. | (英) The design of a semiconductor laser 2. (日) 半導体レーザの最適設計 2
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| 14. | (英) The growth of a semiconductor laser 1. (日) 半導体レーザの作製方法 1
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| 15. | (英) The growth of a semiconductor laser 2. (日) 半導体レーザの作製方法 2
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| 16. | (英) Summary. (日) まとめ
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| ○評価 (必須): | □ | (英) Report 40, Test 60, Total 100. Above 60 pass the examination. (日) レポート 40点，試験60点，計100点．60点以上を合格とする．
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| ○再評価 (必須): |
| ○対象学生 (任意): |
| ○教科書 (必須): | 1. | (英) Diode lasers and photonic integrated circuits,by L.A.Coldren, S.W.Corzine, John Wiley & sons, Inc., (1995) ISBN 0-471-11875-3 (日)
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| ○参考資料 (推奨): | 1. | (英) Hetero-struructure lasers,by H.C.Casey,Jr, M.B.Panish, Academic Press , (1978), ISBN 0-12-163101 (日)
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| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 酒井 士郎
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): |
【授業概要】(2006/光デバイス特論)
【教育プログラム】…(2)