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登録内容 (EID=125162)

EID=125162EID:125162, Map:0, LastModified:2007年12月26日(水) 23:09:43, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.機械工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2006年 (平成 18年) [継承]
名称 (必須): (英) Precision Machinery (日) 精密機械工学 (読) せいみつきかいこうがく
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形態 (推奨):
コース (必須): 1.2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.知的力学システム工学専攻.機械創造システム工学コース]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.英 崇夫
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) Learning of preparation and evaluation methods on thin films which are important to micro-machines and electronic parts.  (日) マイクロマシンや電子部品の製作に欠かせない薄膜に関して,その創成技術および特性評価技術について学習する.   [継承]
概要 (必須): (英) We learn about basics of thin films, thin film preparation methods, crystal structure and stress in thin films. Since the development of residual stresses is a serious problem in thin film preparation, an evaluation and a control of the residual stresses are necessary in the fabrication of thin films. X-ray stress measurement and its application on the stress in thin films are to be understood. Recent works on stresses in thin films are introduced.  (日) 薄膜の基本概念,薄膜の作製方法,薄膜の結晶性と応力を学ぶ.薄膜創成では特に残留応力の発生が問題になり,その評価と制御を適正に行う必要がある.残留応力の測定法としてのX線応力測定法およびその薄膜応力への応用を理解する.また,薄膜の応力の性質について最近の研究を紹介する.工業にかかわる科目である.   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意): (英) To master a basic concept of crysital  (日)    [継承]
注意 (任意): (英) To learn by yourself thin film preparation, crystallography, X-ray diffraction, X-ray stress measurement, micromachine and so on  (日)    [継承]
目標 (必須): 1.(英) Understanding of thin film preparation  (日) 薄膜創成法を理解する  
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2.(英) Understanding of X-ray stress measurement  (日) X線応力測定法を理解する  
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3.(英) Understanding of stresses in thin films  (日) 薄膜の応力を理解する  
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計画 (必須): 1.(英) Basics of thin film  (日) 薄膜の基本概念  
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2.(英) Thin film preparation  (日) 薄膜の作製方法  
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3.(英) Crystal structure and stress in thin films  (日) 薄膜の結晶性と応力  
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4.(英) Mechanical stress measurement of thin film  (日) 機械的方法による薄膜の応力測定  
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5.(英) X-ray diffraction (1) Characteristics of X-rays  (日) X線回折(1)X線の性質  
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6.(英) X-ray diffraction (2) Crystal structures  (日) X線回折(2)結晶の幾何学  
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7.(英) X-ray diffraction (3) Diffraction by an atom and a small crystal  (日) X線回折(3)原子および結晶による回折  
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8.(英) X-ray diffraction (4) Powder diffraction  (日) X線回折(4)粉末結晶からの回折  
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9.(英) Report and presentation  (日) レポートと発表  
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10.(英) Principle of X-ray stress measurement  (日) X線応力測定法  
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11.(英) Stress measurement of thn films  (日) X線的方法による薄膜の応力測定  
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12.(英) Development of residual stress  (日) 残留応力の発生  
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13.(英) Recovery of residual stress  (日) 残留応力の回復  
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14.(英) Thermal stress and stress migration  (日) 熱応力とストレスマイグレーション  
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15.(英) Application of thin films  (日) 薄膜の応用  
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16.(英) Examination  (日) 定期試験  
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評価 (必須): (英) Report & presentation 40%, examination 60%  (日)    [継承]
再評価 (必須):
対象学生 (任意): 開講コース学生のみ履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英) None  (日)    [継承]
参考資料 (推奨): 1.(英) B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, Addison-Wesley  (日)    [継承]
2.(英) K. Wetzig and C. M. Schneider (Eds.), Metal Based Thin Films For Electronics, Wiley-VCH  (日)    [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1. (英) Hanabusa(M317, 656-7377, hanabusa@me.tokushima-u.ac.jp) (日) 英(M317, 656-7377, hanabusa@me.tokushima-u.ac.jp) (読)
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
備考 (任意):

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