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登録内容 (EID=11967)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座 [継承]
著者 (必須): 1.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
役割 (任意): (英)   (日) TEM観察,論文執筆   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Weatherly C George (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) The role of strain and composition on the morphology of InGaAsP layers grown on <001>InP substrates  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) InP(001)基板上に圧縮ひずみないしは引張ひずみをもつIn1-xGaxAsyP1-y薄膜および量子井戸を,系統的に厚さを変えてMBE成長させた.膜内のスピノーダル的な相分離および膜表面の凹凸を,断面TEM法により観察した.引張ひずみをもつ場合は,膜厚が小さな段階から相分離および表面の凹凸が生じていた.これに対して,圧縮ひずみをもつ場合は,ひずみが1.5%に達していても相分離は小さく,表面の平坦性は良好であった.以上の結果を,成長中の表面における簡単な拡散モデルに基づき解釈した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 179 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 339 348 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1997年 8月 2日 (平成 9年 8月 2日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TJ6-41TNF24-2&_coverDate=08%2F02%2F1997&_alid=485133962&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_qd=1&_cdi=5302&_sort=d&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=b600b3d45aa6d738a1bb33f95ef5d6c0 [継承]
DOI (任意):
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Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tatsuya Okada and George C Weatherly : The role of strain and composition on the morphology of InGaAsP layers grown on <001>InP substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.179, No.3-4, 339-348, 1997.
欧文冊子 ● Tatsuya Okada and George C Weatherly : The role of strain and composition on the morphology of InGaAsP layers grown on <001>InP substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.179, No.3-4, 339-348, 1997.

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