○種別 (必須): | □ | 工学部•昼間 (授業概要)
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○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2005年 (平成 17年)
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○名称 (必須): | □ | (英) Photonic Devices (日) 光デバイス工学 (読) ひかりでばいすこうがく
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○形態 (不用): | 1. | 講義
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○コース (必須): | 1. | 2005/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]
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○担当教員 (必須): | 1. | 富永 喜久雄
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○単位 (必須): | □ | 2
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○目的 (必須): | □ | (英) (日) 半導体の応用分野の一つである光半導体デバイスとそれを利用するシステムにわたって基本的知識を修得することを目的とする.
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○概要 (必須): | □ | (英) (日) 光エレクトロニクスに用いられるデバイスの中で,情報通信,エネルギー,画像に関係するデバイスについて講義する.具体的には,発光ダイオード,レーザ,光導電素子,フォトダイオード,光電管,太陽電池,撮像デバイス,表示デバイスなどである.最初は,それらのデバイスの基礎となる材料についての講義からはじめる.
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○キーワード (推奨): |
○先行科目 (推奨): | 1. | 電気磁気学1·演習 ([2005/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2004/電気磁気学1·演習])
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| 2. | 電気磁気学2·演習 ([2005/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2004/電気磁気学2·演習])
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| 3. | 電気磁気学3 ([2005/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2004/電気磁気学3])
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○関連科目 (推奨): |
○要件 (任意): | □ | (英) (日) 「電気磁気学1,2,3」およびデバイス関連科目を履修しておくことが望ましいが,通信,回路関連に興味のある人も受講しておいてほしい.
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○注意 (任意): |
○目標 (必須): | 1. | (英) (日) 光半導体デバイスの物理の基礎知識を習得する.
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| 2. | (英) (日) 種々の発光,受光,撮像デバイスについて理解する.
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○計画 (必須): | 1. | (英) (日) 物質の光学的性質1
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| 2. | (英) (日) 物質の光学的性質2
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| 3. | (英) (日) 光エレクトロニクスデバイスのための材料設計1
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| 4. | (英) (日) 光エレクトロニクスデバイスのための材料設計2
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| 5. | (英) (日) 発光デバイス1(ELセル,発光ダイオード)
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| 6. | (英) (日) 発光デバイス2(レーザ)
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| 7. | (英) (日) 中間試験
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| 8. | (英) (日) 光検出デバイス1(光導電素子)
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| 9. | (英) (日) 光検出デバイス2(ホトダイオード,アバランシェホトダイオードAPD)
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| 10. | (英) (日) 太陽電池1(基礎理論)
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| 11. | (英) (日) 太陽電池2((構造と製作)
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| 12. | (英) (日) 撮像デバイス1(撮像管)
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| 13. | (英) (日) 撮像デバイス2(電荷結合素子CCD)
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| 14. | (英) (日) 表示デバイス1(ブラウン管CRT,薄膜トランジスタTFT)
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| 15. | (英) (日) 表示デバイス2(液晶ディスプレイLCD,プラズマディスプレイPDP)
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| 16. | (英) (日) 期末試験
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○評価 (必須): | □ | (英) (日) 中間試験50%,期末試験50%として評価し,全体で60%以上で合格とする.
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○JABEE合格 (任意): |
○JABEE関連 (任意): | □ | (英) (日) (D)専門基礎40%,(E)専門分野(物性デバイス)60%
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○対象学生 (任意): | □ | 開講コースと同学科の夜間主コース学生も履修可能
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○教科書 (必須): | 1. | (英) (日) 針生 尚著;光エレクトロニクスデバイス,培風館
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○参考資料 (推奨): | 1. | (英) (日) S.M.Sze:Physics of Semiconductor devices, John Wiley & Sons, 1981 and J. Singh: Semiconductor Optoelectronics (Physics and Technology), McGraw-Hill, 1995.
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○URL (任意): |
○連絡先 (推奨): | 1. | 富永 喜久雄
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○科目コード (推奨): |
○備考 (任意): | 1. | (英) (日) .
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