『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=10704)

EID=10704EID:10704, Map:0, LastModified:2017年12月23日(土) 17:43:59, Operator:[[ADMIN]], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
(必須): (英) Nishino (日) 西野 (読) にしの [継承]
(必須): (英) Katsushi (日) 克志 (読) かつし [継承]
ミドルネーム (任意):
生年月日 (推奨): **** [学内]
性別 (推奨): 男性 [継承]
学位 (推奨): 1.博士 [継承]
学位名称 (推奨): 1. (英) (日) 博士(工学) (読)
授与組織 (推奨): 京都大学 [継承]
授与年月日 (推奨): 西暦 1997年 11月 1日 (平成 9年 11月 1日) [継承]
[継承]
出身大学 (推奨): 京都大学
卒業年月日 (推奨):
[継承]
出身大学2 (推奨):
出身大学3 (推奨):
肩書 (必須): 1.(期間: 2007年4月 1日〜)  准教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年4月1日学校教育法施行による肩書/2007年4月初日〜) [継承]
2.(期間: 2004年7月 1日〜2007年3月 31日)  助教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年3月31日までの肩書/〜2007年3月末日) [継承]
3.(期間: 〜2004年6月 30日)  講師 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]) [継承]
所属 (必須): 1.(期間: 2017年4月 1日〜)  徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野 (2017年4月1日〜) [継承]
2.(期間: 2016年4月 1日〜)  徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座 (2016年4月1日〜) [継承]
3.(期間: 2016年4月 1日〜2017年3月 31日)  物性デバイス分野 (2016年4月1日〜2017年3月31日) [継承]
4.(期間: 〜2016年3月 31日)  徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
5.(期間: 〜2016年3月 31日)  知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
電子メール (必須): ņīśhīņō (@ėė ₍.₎ tōkūśhīmā-ū ₍.₎ āċ ₍.₎ jp [継承]
電話 (推奨): **** [学内]
電話2 (推奨): **** [学内]
電話3 (任意): **** [職員]
FAX (任意): **** [学内]
国籍 (推奨): **** [職員]
本籍 (推奨): **** [職員]
郵便番号 (任意): **** [職員]
住所 (任意): **** [職員]
部屋 (推奨): (英) (日) E棟2階南 A-5 (読) [継承]
オフィスアワー (推奨):
統合認証ID (推奨):
科研番号 (推奨):
SPAS-ID (推奨):
職員番号 (推奨):
学務教員ID (推奨):
パスワード (任意): **** [ユーザ]
証明書 (任意):
URL (任意):
顔写真 (推奨): 西野克志 ([顔写真]) [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意): 1.35560342600 [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [氏名] 西野 克志, Katsushi Nishino, [Email] nishino@ee.tokushima-u.ac.jp, [職名・学位] 准教授・博士(工学), [専門分野] 半導体工学, [所属学会] 応用物理学会電子情報通信学会IEEE, [社会活動] , [研究テーマ] AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用, [キーワード] AlN, バルク結晶成長, 物性評価, [共同研究可能テーマ] 窒化物半導体の結晶成長および物性評価
欧文冊子 ● [Name] Katsushi Nishino, [Email] nishino@ee.tokushima-u.ac.jp, [Title, Degree] Associate Professor博士(工学), [Field of Study] Semiconductor Physical Electronics, [Academic Society] The Japan Society of Applied PhysicsInstitute of Electronics, Information and Communication EngineersIEEE, [Social Activity] , [Theme of Study] AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用, [Keyword] AlN, バルク結晶成長, 物性評価, [Collaboratible] 窒化物半導体の結晶成長および物性評価

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