『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=10704)

EID=10704EID:10704, Map:0, LastModified:2020年9月25日(金) 16:51:51, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
(必須): (英) Nishino (日) 西野 (読) にしの [継承]
(必須): (英) Katsushi (日) 克志 (読) かつし [継承]
ミドルネーム (任意):
生年月日 (推奨): **** [学内]
性別 (推奨): 男性 [継承]
学位 (推奨): 1.博士 [継承]
学位名称 (推奨): 1. (英) (日) 博士(工学) (読)
授与組織 (推奨): 京都大学 [継承]
授与年月日 (推奨): 西暦 1997年 11月 1日 (平成 9年 11月 1日) [継承]
[継承]
出身大学 (推奨): 京都大学
卒業年月日 (推奨):
[継承]
出身大学2 (推奨):
出身大学3 (推奨):
肩書 (必須): 1.(期間: 2007年4月 1日〜)  准教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年4月1日学校教育法施行による肩書/2007年4月初日〜) [継承]
2.(期間: 2004年7月 1日〜2007年3月 31日)  助教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年3月31日までの肩書/〜2007年3月末日) [継承]
3.(期間: 〜2004年6月 30日)  講師 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]) [継承]
所属 (必須): 1.(期間: 2017年4月 1日〜)  徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野 (2017年4月1日〜) [継承]
2.(期間: 2016年4月 1日〜)  徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座 (2016年4月1日〜) [継承]
3.(期間: 2016年4月 1日〜2017年3月 31日)  徳島大学.大学院理工学研究部.理工学部門.電気電子系.物性デバイス分野 (2016年4月1日〜2017年3月31日) [継承]
4.(期間: 〜2016年3月 31日)  徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
5.(期間: 〜2016年3月 31日)  徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
電子メール (必須): ņīśhīņō (@ėė ₍.₎ tōkūśhīmā-ū ₍.₎ āċ ₍.₎ jp [継承]
電話 (推奨): **** [学内]
電話2 (推奨): **** [学内]
電話3 (任意): **** [職員]
FAX (任意): **** [学内]
国籍 (推奨): **** [職員]
本籍 (推奨): **** [職員]
郵便番号 (任意): **** [職員]
住所 (任意): **** [職員]
部屋 (推奨): (英) (日) E棟2階南 A-5 (読) [継承]
オフィスアワー (推奨):
統合認証ID (推奨):
科研番号 (推奨):
SPAS-ID (推奨):
職員番号 (推奨):
学務教員ID (推奨):
パスワード (任意): **** [ユーザ]
証明書 (任意):
URL (任意):
顔写真 (推奨): 西野克志 ([顔写真]) [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意): 1.35560342600 [継承]
Researchmap (推奨):
ORCID (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [氏名] 西野 克志, Katsushi Nishino, [Email] nishino@ee.tokushima-u.ac.jp, [職名・学位] 准教授・博士(工学), [専門分野] 半導体工学, [所属学会] 応用物理学会電子情報通信学会IEEE, [社会活動] , [研究テーマ] AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用, [キーワード] AlN, バルク結晶成長, 物性評価, [共同研究可能テーマ] 窒化物半導体の結晶成長および物性評価
欧文冊子 ● [Name] Katsushi Nishino, [Email] nishino@ee.tokushima-u.ac.jp, [Title, Degree] Associate Professor博士(工学), [Field of Study] Semiconductor Physical Electronics, [Academic Society] The Japan Society of Applied PhysicsInstitute of Electronics, Information and Communication EngineersIEEE, [Social Activity] , [Theme of Study] AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用, [Keyword] AlN, バルク結晶成長, 物性評価, [Collaboratible] 窒化物半導体の結晶成長および物性評価

関連情報

この個人(西野 克志)を参照している情報

閲覧【学位論文】…(153) 閲覧【学会活動】…(3) 閲覧【擬人】…(2) 閲覧【共同研究】…(7)
閲覧【研究】…(1) 閲覧【研究員受入】…(1) 閲覧【研究活動】…(3) 閲覧【集会】…(3)
閲覧【授業概要】…(78) 閲覧【賞】…(2) 閲覧【組織】…(11) 閲覧【担当授業】…(7)
閲覧【著作】…(123) 閲覧【履歴】…(7)

この個人(西野 克志)が所有している情報

閲覧【学位論文】…(40) 閲覧【画像】…(1) 閲覧【学会活動】…(3) 閲覧【共同研究】…(1)
閲覧【研究】…(1) 閲覧【研究活動】…(1) 閲覧【個人】…(1) 閲覧【賞】…(2)
閲覧【組織】…(1) 閲覧【担当授業】…(7) 閲覧【著作】…(67) 閲覧【履歴】…(7)

この個人(西野 克志)が権限を持つ情報

閲覧【学位論文】…(153) 閲覧【学会活動】…(3) 閲覧【共同研究】…(7) 閲覧【研究】…(1)
閲覧【研究員受入】…(1) 閲覧【研究活動】…(3) 閲覧【集会】…(3) 閲覧【授業概要】…(78)
閲覧【賞】…(2) 閲覧【組織】…(1) 閲覧【担当授業】…(7) 閲覧【著作】…(125)
閲覧【ホスト】…(10) 閲覧【履歴】…(7)
Number of session users = 0, LA = 0.52, Max(EID) = 397390, Max(EOID) = 1075943.