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『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=10704)
EID=10704 EID :10704,
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LastModified :2020年9月25日(金) 16:51:51,
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○姓 (必須) : □ (英) Nishino (日) 西野 (読) にしの
[継承] ○名 (必須) : □ (英) Katsushi (日) 克志 (読) かつし
[継承] ○ミドルネーム (任意) : ○生年月日 (推奨) : □ ****
[学内] ○性別 (推奨) : □ 男性
[継承] ○学位 (推奨) : 1. 博士
[継承] ○学位名称 (推奨) : 1. (英) (日) 博士(工学) (読)
○授与組織 (推奨) : □ 京都大学
[継承] ○授与年月日 (推奨) : □ 西暦 1997年 11月 1日 (平成 9年 11月 1日)
[継承]
[継承] ○出身大学 (推奨) : □ 京都大学
[継承] ○出身大学2 (推奨) : ○出身大学3 (推奨) : ○肩書 (必須) : 1. (期間: 2007年4月 1日〜)
准教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年4月1日学校教育法施行による肩書/2007年4月初日〜)
[継承] 2. (期間: 2004年7月 1日〜2007年3月 31日)
助教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年3月31日までの肩書/〜2007年3月末日)
[継承] 3. (期間: 〜2004年6月 30日)
講師 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤])
[継承] ○所属 (必須) : 1. (期間: 2017年4月 1日〜)
徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野 (2017年4月1日〜)
[継承] 2. (期間: 2016年4月 1日〜)
徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座 (2016年4月1日〜)
[継承] 3. (期間: 2016年4月 1日〜2017年3月 31日)
徳島大学.大学院理工学研究部.理工学部門.電気電子系.物性デバイス分野 (2016年4月1日〜2017年3月31日)
[継承] 4. (期間: 〜2016年3月 31日)
徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
[継承] 5. (期間: 〜2016年3月 31日)
徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日)
[継承] ○電子メール (必須) : □ ņ ī ś h ī ņ ō ( @) ė ė ₍ .₎ t ō k ū ś h ī m ā - ū ₍ .₎ ā ċ ₍ .₎ j p
[継承] ○電話 (推奨) : □ ****
[学内] ○電話2 (推奨) : □ ****
[学内] ○電話3 (任意) : □ ****
[職員] ○FAX (任意) : □ ****
[学内] ○国籍 (推奨) : □ ****
[職員] ○本籍 (推奨) : □ ****
[職員] ○郵便番号 (任意) : □ ****
[職員] ○住所 (任意) : □ ****
[職員] ○部屋 (推奨) : □ (英) (日) E棟2階南 A-5 (読)
[継承] ○オフィスアワー (推奨) : ○統合認証ID (推奨) : ○科研番号 (推奨) : ○SPAS-ID (推奨) : ○職員番号 (推奨) : ○学務教員ID (推奨) : ○パスワード (任意) : □ ****
[ユーザ] ○証明書 (任意) : ○URL (任意) : ○顔写真 (推奨) : □ 西野克志 ([顔写真])
[継承] ○WOS (任意) : ○Scopus (任意) : 1. 35560342600
[継承] ○Researchmap (推奨) : ○ORCID (推奨) : ○備考 (任意) :
標準的な表示
和文冊子 ●
[氏名] 西野 克志, Katsushi Nishino,
[Email] nishino@ee.tokushima-u.ac.jp,
[職名・学位] 准教授 ・博士(工学),
[専門分野] 半導体工学 ,
[所属学会] 応用物理学会 ・電子情報通信学会 ・IEEE ,
[社会活動] ,
[研究テーマ] AlN等窒化物半導体の結晶成長，物性評価，デバイス応用,
[キーワード] AlN, バルク結晶成長, 物性評価,
[共同研究可能テーマ] 窒化物半導体の結晶成長および物性評価
欧文冊子 ●
[Name] Katsushi Nishino,
[Email] nishino@ee.tokushima-u.ac.jp,
[Title, Degree] Associate Professor ・博士(工学) ,
[Field of Study] Semiconductor Physical Electronics ,
[Academic Society] The Japan Society of Applied Physics ・Institute of Electronics, Information and Communication Engineers ・IEEE ,
[Social Activity] ,
[Theme of Study] AlN等窒化物半導体の結晶成長，物性評価，デバイス応用 ,
[Keyword] AlN, バルク結晶成長 , 物性評価 ,
[Collaboratible] 窒化物半導体の結晶成長および物性評価
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【学位論文】…(153)