『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=10701)

EID=10701EID:10701, Map:0, LastModified:2019年3月15日(金) 16:07:39, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
(必須): (英) Tominaga (日) 富永 (読) とみなが [継承]
(必須): (英) Kikuo (日) 喜久雄 (読) きくお [継承]
ミドルネーム (任意):
生年月日 (推奨): **** [学内]
性別 (推奨): 男性 [継承]
学位 (推奨): 1.博士 [継承]
学位名称 (推奨): 1. (英) Philosophical Doctor (日) 工学博士 (読) こうがくはかせ
授与組織 (推奨): 京都大学 [継承]
授与年月日 (推奨): 西暦 1985年 1月 初日 (昭和 60年 1月 初日) [継承]
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出身大学 (推奨): (英) (日) 徳島大学工学部電子工学科 (読) とくしまだいがくこうがくぶでんしこうがっか
卒業年月日 (推奨): 西暦 1972年 3月 末日 (昭和 47年 3月 末日) [継承]
[継承]
出身大学2 (推奨): (英) (日) 徳島大学大学院工学研究科電子工学専攻 (読) とくしまだいがくだいがくいんこうがくけんきゅうかでんしこうがくせんこう
修士課程修了年月日 (推奨): 西暦 1974年 3月 末日 (昭和 49年 3月 末日) [継承]
[継承]
出身大学3 (推奨):
肩書 (必須): 1.(期間: 2007年4月 1日〜2013年3月 31日)  准教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年4月1日学校教育法施行による肩書/2007年4月初日〜) [継承]
2.(期間: 〜2007年3月 31日)  助教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]/平成19年3月31日までの肩書/〜2007年3月末日) [継承]
所属 (必須): 1.(期間: 〜2013年3月 31日)  徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.(期間: 〜2013年3月 31日)  機能性材料 (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
3.(期間: 〜2013年3月 31日)  徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (2006年4月1日〜) [継承]
電子メール (必須):
電話 (推奨):
電話2 (推奨):
電話3 (任意):
FAX (任意):
国籍 (推奨): **** [職員]
本籍 (推奨): **** [職員]
郵便番号 (任意):
住所 (任意):
部屋 (推奨):
オフィスアワー (推奨):
統合認証ID (推奨):
科研番号 (推奨):
SPAS-ID (推奨):
職員番号 (推奨):
学務教員ID (推奨):
パスワード (任意): **** [ユーザ]
証明書 (任意): RevokedEDB/PKI 1st Generation Certificate
countryName (C) = "JP"
stateOrProvinceName (ST) = "Tokushima"
localityName (L) = "Tokushima City"
organizationName (O) = "The University of Tokushima"
organizationalUnitName (OU) = "EDB"
commonName (CN) = "S10701"
emailAddress = "tōmīņāġā (@ėė ₍.₎ tōkūśhīmā-ū ₍.₎ āċ ₍.₎ jp"
[継承]
URL (任意):
顔写真 (推奨): 富永 喜久雄2009 ([顔写真]) [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意): 1.55568987900 [継承]
備考 (任意): 1.(英)   (日) H25.3.31 退職(ソシオテクノサイエンス研究部 機能性材料)   [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● [氏名] 富永 喜久雄, Kikuo Tominaga, [Email] (電子メール), [職名・学位] (肩書)・工学博士, [専門分野] 電気電子材料工学, 薄膜工学, 電子物性, スパッタリング, 薄膜工学, [所属学会] 応用物理学会・American Vacuum Society・電子情報通信学会・日本真空協会・日本材料学会, [社会活動] , [研究テーマ] 透明導電性酸化物スパッタ膜の低抵抗化に関する研究, 反応性スパッタリング法による窒化ガリウム,窒化インジウム,窒化アルミニウム薄膜の作製とその物性評価, 窒化物磁性体薄膜の作製とその物性, 酸化亜鉛や窒化アルミニウムの圧電性薄膜の作製とその膜評価, スパッタリング法による薄膜作製, [キーワード] GaN, InN, ZnO, AlN, ITO, 電気電子材料, スパッタリング, 薄膜, 誘電体, 透明導電性酸化物, 酸化物, 薄膜系光触媒, [共同研究可能テーマ] 透明導電性酸化物スパッタ膜の低抵抗化に関する研究,スパッタ時の高速酸素原子による膜衝撃の実測とその影響
欧文冊子 ● [Name] Kikuo Tominaga, [Email] (電子メール), [Title, Degree] (肩書)・Philosophical Doctor, [Field of Study] Electrical and Electronic Material Engineering, 薄膜工学, 電子物性, スパッタリング, Thin Film Technology, [Academic Society] The Japan Society of Applied Physics・American Vacuum Society・Institute of Electronics, Information and Communication Engineers・The Vacuum Socity of Japan・The Society of Materials Science,Japan, [Social Activity] , [Theme of Study] Study of transparent sputtered oxide films with low resistivity, Deposition and evaluation of sputtered films such as gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, Deposition and evaluation of magnetic nitride films, 酸化亜鉛や窒化アルミニウムの圧電性薄膜の作製とその膜評価, Thin Film Deposition by Sputtering Technique, [Keyword] GaN, InN, ZnO, AlN, ITO, electrical and electronic materials, sputtering, thin film, dielectrics, transparent conducting oxide, oxide, 薄膜系光触媒, [Collaboratible] 透明導電性酸化物スパッタ膜の低抵抗化に関する研究,スパッタ時の高速酸素原子による膜衝撃の実測とその影響

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