『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=10700)

EID=10700EID:10700, Map:0, LastModified:2023年1月24日(火) 11:15:57, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○姓 (必須): □ (英) Sakai (日) 酒井 (読) さかい [継承]
○名 (必須): □ (英) Shiro (日) 士郎 (読) しろう [継承]
○ミドルネーム (任意):
○生年月日 (推奨): □**** [学内]
○性別 (推奨): □男性 [継承]
○学位 (推奨): 1.博士 [継承]
○学位名称 (推奨): 1. (英) Dr. of Engineering (日) 工学博士 (読)
○授与組織 (推奨): □名古屋大学 [継承]
○授与年月日 (推奨): □西暦 1980年 3月 末日 (昭和 55年 3月 末日) [継承]
[継承]
○出身大学 (推奨): □ (英) Nagoya University (日) 名古屋大学大学院博士後期課程 (読) なごやだいがくだいがくいんはかせこうきかてい
○卒業年月日 (推奨):
[継承]
○出身大学2 (推奨):
○出身大学3 (推奨):
○肩書 (必須): 1.(期間: 〜2018年3月 31日)  教授 ([教職員.教員.本務教員]/[常勤]) [継承]
○所属 (必須): 1.(期間: 2017年4月 1日〜2018年3月 31日)  徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野 (2017年4月1日〜) [継承]
2.(期間: 2016年4月 1日〜2017年3月 31日)  徳島大学.大学院理工学研究部.理工学部門.電気電子系.物性デバイス分野 (2016年4月1日〜2017年3月31日) [継承]
3.(期間: 〜2016年3月 31日)  徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 (〜2023年3月31日) [継承]
4.(期間: 〜2016年3月 31日)  徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
5.(期間: 〜2016年3月 31日)  徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (2006年4月1日〜) [継承]
○電子メール (必須):
○電話 (推奨):
○電話2 (推奨):
○電話3 (任意):
○FAX (任意):
○国籍 (推奨): □**** [職員]
○本籍 (推奨): □**** [職員]
○郵便番号 (任意):
○住所 (任意):
○部屋 (推奨):
○オフィスアワー (推奨):
○統合認証ID (推奨):
○科研番号 (推奨):
○SPAS-ID (推奨):
○職員番号 (推奨):
○学務教員ID (推奨):
○パスワード (任意): □**** [ユーザ]
○証明書 (任意):
○URL (任意):
○顔写真 (推奨): □酒井士郎 ([顔写真]) [継承]
○WOS (任意):
○Scopus (任意): 1.7401637168 [継承]
○Researchmap (推奨):
○ORCID (推奨):
○備考 (任意): 1.(英)   (日) H30.3.31 退職(社会産業理工学研究部.理工学域.物性デバイス分野)   [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● [氏名] 酒井 士郎, Shiro Sakai, [Email] (電子メール), [職名・学位] (肩書)・工学博士, [専門分野] 半導体工学, [所属学会] 応用物理学会・電子情報通信学会・IEEE・電子情報通信学会, [社会活動] ナイトライドセミコンダクター株式会社・NPS 株式会社・文部省 日本学術振興会・工業技術院電子技術総合研究所・徳島県・ナイトライド・セミコンダクター, [研究テーマ] 窒化物半導体の研究, [キーワード] 窒化ガリウム, 半導体デバイス, [共同研究可能テーマ] 窒化物半導体に関する研究
欧文冊子 ● [Name] Shiro Sakai, [Email] (電子メール), [Title, Degree] (肩書)・Dr. of Engineering, [Field of Study] Semiconductor Physical Electronics, [Academic Society] The Japan Society of Applied Physics・Institute of Electronics, Information and Communication Engineers・IEEE・Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, [Social Activity] ナイトライドセミコンダクター株式会社・NPS 株式会社・Japan Society for the Promotion of Science, Ministry of Education・工業技術院電子技術総合研究所・Tokushima Prefectural Government・ナイトライド・セミコンダクター, [Theme of Study] A research on nitride semiconductors, [Keyword] gallium nitride, semiconductor devices, [Collaboratible] 窒化物半導体に関する研究

関連情報

この個人(酒井 士郎)を参照している情報

閲覧【学位論文】…(214) 閲覧【学会活動】…(4) 閲覧【擬人】…(5) 閲覧【共同研究】…(7)
閲覧【研究】…(1) 閲覧【研究員受入】…(2) 閲覧【研究活動】…(5) 閲覧【社会活動】…(6)
閲覧【集会】…(2) 閲覧【授業概要】…(69) 閲覧【賞】…(9) 閲覧【組織】…(9)
閲覧【担当授業】…(6) 閲覧【著作】…(352) 閲覧【特許・実用新案】…(36) 閲覧【履歴】…(6)

この個人(酒井 士郎)が所有している情報

閲覧【学位名称】…(1) 閲覧【学位論文】…(1) 閲覧【共同研究】…(1) 閲覧【個人】…(1)
閲覧【社会活動】…(3) 閲覧【授業概要】…(1) 閲覧【賞】…(1) 閲覧【著作】…(12)
閲覧【履歴】…(1)

この個人(酒井 士郎)が権限を持つ情報

閲覧【学位論文】…(216) 閲覧【学会活動】…(3) 閲覧【共同研究】…(7) 閲覧【研究】…(1)
閲覧【研究員受入】…(2) 閲覧【研究活動】…(5) 閲覧【社会活動】…(5) 閲覧【集会】…(2)
閲覧【授業概要】…(71) 閲覧【賞】…(9) 閲覧【担当授業】…(6) 閲覧【著作】…(373)
閲覧【特許・実用新案】…(36) 閲覧【履歴】…(7)
Number of session users = 0, LA = 0.47, Max(EID) = 433640, Max(EOID) = 1154577.