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登録内容 (EID=97182)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Liu Yu-Huai (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Li Hong-Dong (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Lee Young-Bae (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Wang Tao (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
役割 (任意): (英)   (日) 情報の提供,ウエハの提供.   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) GaN の転位が厚さに依存すること,および厚さが0.5 um のときは0であることを見出した.とくにAlGaN の層が3次元の山の上に立っているときには,AlGaN 中の歪がゼロであることをみいだしている.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) defecte (日) (読) [継承]
2. (英) transmission electron microscopy (日) (読) [継承]
3. (英) superlattice (日) (読) [継承]
4. (英) nitride (日) (読) [継承]
5. (英) light emitting diode (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 268 [継承]
(必須): 1-2 [継承]
(必須): 30 34 [継承]
都市 (任意): アムステルダム (Amsterdam/[オランダ王国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2004年 7月 15日 (平成 16年 7月 15日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2004.04.103    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000222714700006 [継承]
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Yu-Huai Liu, Hong-Dong Li, Jin-Ping Ao, Young-Bae Lee, Tao Wang and Shiro Sakai : Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.268, No.1-2, 30-34, 2004.
欧文冊子 ● Yu-Huai Liu, Hong-Dong Li, Jin-Ping Ao, Young-Bae Lee, Tao Wang and Shiro Sakai : Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.268, No.1-2, 30-34, 2004.

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