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登録内容 (EID=94637)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Furutani Kouhei (日) 古谷 公平 (読) ふるたに こうへい
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kikuma Takuya (日) 喜久間 拓也 (読) きくま たくや
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtered Gallium Nitride Films  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) X-ray diffraction was carried out in order to investigate crystal orientation and residual stress in gallium nitride (GaN) films deposited on a fused quartz substrate by radio frequency (RF) planar magnetron sputtering with a net to protect against plasma exposure. GaN films were deposited at constant gas pressure, constant input power, and various substrate temperatures. The following results were obtained: (1) GaN film of good crystal orientation can be deposited by RF sputtering; (2) in all films deposited at high substrate temperature, the c-axes of GaN crystals were oriented normal to the substrate surface; (3) crystal orientation was good in films deposited at high substrate temperature Ts > 573 K, but film deposited at Ts = 873 K peeled from the substrate; (4) good crystal orientation was attained in films deposited by sputtering with the fine mesh to protect against plasma exposure; (5) compressive residual stress was found in film deposited at low Ts below 573 K; (6) compressive residual stress was found in films deposited by RF sputtering with the plasma protection net.  (日) プラズマ露光を防止する網を有する高周波(RF)プレーナマグネトロンスパッタリング装置によって溶融石英基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)膜の結晶配向性および残留応力をX線回折により調べた.GaN膜は一定のガス圧,一定の供給電力,いろいろな基板温度で堆積させた.次の結果が得られた.(1)良質な結晶配向性のGaN膜は,RFスパッタリングによって堆積することができた.(2)高温で堆積したすべての膜において,GaN結晶のc軸は基板面法線方向に優先配向した.(3)573K以上の高基板温度で堆積した膜の結晶配向性は良かったが,873Kで堆積した膜は基板から剥離した.(4)プラズマ露光を防止する目の細かな網を有するスパッタリング装置により,良い結晶配向膜が形成できた.(5)573K以下の低TSで堆積した膜に圧縮残留応力が確認された.(6)プラズマ防止網を有するRFスパッタリング装置で堆積した膜に圧縮残留応力が確認された.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) Gallium nitride film (日) (読) [継承]
2. (英) Radio frequency sputtering (日) (読) [継承]
3. (英) Residual stress (日) (読) [継承]
4. (英) Crystal orientation (日) (読) [継承]
5. (英) Plasma protection net (日) (読) [継承]
6. (英) X-ray diffraction (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): 日本材料学会 [継承]
誌名 (必須): Materials Science Research International ([日本材料学会])
(pISSN: 1341-1683)

ISSN (任意): 1341-1683
ISSN: 1341-1683 (pISSN: 1341-1683)
Title: Materials science research international
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Chapman & Hall
 (Webcat Plus  (Scopus (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 8 [継承]
(必須): 4 [継承]
(必須): 187 192 [継承]
都市 (任意): 京都 (Kyoto/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2002年 12月 15日 (平成 14年 12月 15日) [継承]
URL (任意): http://www.jsms.jp/msri/msri_form.htm [継承]
DOI (任意): 10.2472/jsms.51.12Appendix_187    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 110002284000 [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-0037004116 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Kouhei Furutani, Takuya Kikuma, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtered Gallium Nitride Films, Materials Science Research International, Vol.8, No.4, 187-192, 2002.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Kouhei Furutani, Takuya Kikuma, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtered Gallium Nitride Films, Materials Science Research International, Vol.8, No.4, 187-192, 2002.

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