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登録内容 (EID=93424)

EID=93424EID:93424, Map:0, LastModified:2022年10月26日(水) 16:59:34, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術レター (ショートペーパー) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1.小中 信典
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Tabe Michiharu (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Sakai Tetsushi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □American Institute of Physics [継承]
○誌名 (必須): □Applied Physics Letters ([American Institute of Physics])
(resolved by 0003-6951)
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1077-3118)
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □41 [継承]
○号 (必須): □1 [継承]
○頁 (必須): □86 88 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1983年 7月 1日 (昭和 58年 7月 1日) [継承]
○URL (任意): □http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=APPLAB000041000001000086000001&idtype=cvips&gifs=yes [継承]
○DOI (任意):
○PMID (任意):
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○Scopus (任意):
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○指導教員 (推奨):
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和文冊子 ● Shinsuke Konaka, Michiharu Tabe and Tetsushi Sakai : A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon, Applied Physics Letters, Vol.41, No.1, 86-88, 1983.
欧文冊子 ● Shinsuke Konaka, Michiharu Tabe and Tetsushi Sakai : A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon, Applied Physics Letters, Vol.41, No.1, 86-88, 1983.

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