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登録内容 (EID=93068)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1.小中 信典
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Yamamoto Y. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Sakai T. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) A 30-ps Si Bipolar IC Using Super Self-Aligned Process technology  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □IEEE [継承]
○誌名 (必須): □IEEE Transactions on Electron Devices ([IEEE])
(resolved by 0018-9383)
ISSN: 0018-9383 (pISSN: 0018-9383, eISSN: 1557-9646)
Title: IEEE transactions on electron devices
Title(ISO): IEEE Trans Electron Devices
Publisher: IEEE
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □ED-33 [継承]
○号 (必須): □4 [継承]
○頁 (必須): □526 531 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1986年 4月 初日 (昭和 61年 4月 初日) [継承]
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和文冊子 ● Shinsuke Konaka, Y. Yamamoto and T. Sakai : A 30-ps Si Bipolar IC Using Super Self-Aligned Process technology, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-33, No.4, 526-531, 1986.
欧文冊子 ● Shinsuke Konaka, Y. Yamamoto and T. Sakai : A 30-ps Si Bipolar IC Using Super Self-Aligned Process technology, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-33, No.4, 526-531, 1986.

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