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登録内容 (EID=89165)

EID=89165EID:89165, Map:0, LastModified:2005年3月16日(水) 10:17:24, Operator:[富永 喜久雄], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Fukumoto Hidenori (日) 福本 英範 (読) ふくもと ひでのり
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3.林 由佳子
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学籍番号 (推奨):
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4.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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学籍番号 (推奨):
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5.中林 一朗
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Relation between carrier concentration and Al2O3 impurity content in ZnO-In2O3 films  (日) アモルファスZnO-In2O3系透明導電膜のキャリア濃度とAl2O3添加量の関係   [継承]
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キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 第64回応用物理学術講演会 (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): 福岡 (Fukuoka/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2003年 8月 30日 (平成 15年 8月 30日) [継承]
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和文冊子 ● 富永 喜久雄, 福本 英範, 林 由佳子, 森賀 俊広, 中林 一朗 : アモルファスZnO-In2O3系透明導電膜のキャリア濃度とAl2O3添加量の関係, 第64回応用物理学術講演会, (巻), (号), (頁), 2003年8月.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Hidenori Fukumoto, Yukako Hayashi, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Relation between carrier concentration and Al2O3 impurity content in ZnO-In2O3 films, 第64回応用物理学術講演会, (巻), (号), (頁), Aug. 2003.

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