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登録内容 (EID=86177)

EID=86177EID:86177, Map:0, LastModified:2013年8月27日(火) 12:00:45, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Umezu Norio (日) (読)
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3. (英) Manabe Haruhiko (日) (読)
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4. (英) Mori Ichiro (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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6.中林 一朗
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題名 (必須): (英) ZnO:In Films Prepared by the Facing Target Sputtering System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 酸化亜鉛膜にインジウムやアルミニウムを添加して透明導電膜を作製するできることが知られている.本論文は,不純物ドナーとしてインジウムtpアルミニウムの差異について,対向ターゲットプレーナマグネトロンスパッタ装置で実際に巻くを作製してひかくしたものである.この方式での作製は高速酸素による膜衝撃がないより理想的な状態で膜作製ができるため,比較検討に都合がよいてめである.最適の酸化インジウム添加量は3wt%で,基板温度は150℃であった.基板温度を300℃以上にすると,インジウムの差異蒸発が起こり,低効率の上昇を引き起こす.亜鉛の過剰供給はインジウムの再蒸発もしくは格子位置からの排除を促した.この点はアルミニウム添加の酸化亜鉛とは反対の効果である.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proc. 1st International Conference on Advanced Materials Development and Performance (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 238 243 [継承]
都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 1997年 7月 初日 (平成 9年 7月 初日) [継承]
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和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Norio Umezu, Haruhiko Manabe, Ichiro Mori, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : ZnO:In Films Prepared by the Facing Target Sputtering System, Proc. 1st International Conference on Advanced Materials Development and Performance, (巻), (号), 238-243, (都市), July 1997.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Norio Umezu, Haruhiko Manabe, Ichiro Mori, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : ZnO:In Films Prepared by the Facing Target Sputtering System, Proc. 1st International Conference on Advanced Materials Development and Performance, (巻), (号), 238-243, (都市), July 1997.

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