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登録内容 (EID=85924)

EID=85924EID:85924, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 15:50:58, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Fujiwara Haruo (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Residual Stress in Al and AlN Thin Films Deposited by Sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) スパッタリング法によりガラス基板上に形成したAl膜およびAlN膜の残留応力をX線により調べた.Al膜はランダム方位の結晶で構成され通常のsin2ψ法の適用が可能であり,膜厚によらずほぼ 150∼200MPaの引張残留応力であった.一方,AlN膜は〈00.1〉軸が基板上に垂直配向していたため,新しい応力解析法を提案して残留応力を解析した.その結果,AlN膜には-1.5∼-2 GPaの大きい圧縮残留応力の存在を認めた.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Residual Stress Science and Technology (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須): 1 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 728 734 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1992年 0月 初日 (平成 4年 0月 初日) [継承]
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DOI (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Haruo Fujiwara : Residual Stress in Al and AlN Thin Films Deposited by Sputtering, Residual Stress Science and Technology, Vol.1, 728-734, 1992.
欧文冊子 ● Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Haruo Fujiwara : Residual Stress in Al and AlN Thin Films Deposited by Sputtering, Residual Stress Science and Technology, Vol.1, 728-734, 1992.

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