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登録内容 (EID=85923)

EID=85923EID:85923, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 15:50:58, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Imai Hiroshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Shirai Masaki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) AlN Sputtered Film Properties at Low Gas Pressures by Facing Target System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,斜め対向ターゲット式スパッタ装置で窒化アルミニウム膜を低窒素ガス圧で作製するとき,膜の着色,剥がれ現象が生ずることを示した.結晶軸の配向度の低下,光透過率における吸収端での特性劣化,組成のずれ(窒素過剰)の実験結果から,窒素イオンによる膜衝撃がおこっていることを示した.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) AlN film (日) (読) [継承]
2. (英) planar magnetron sputtering (日) (読) [継承]
3. (英) film degradation (日) (読) [継承]
4. (英) facing target sputtering system (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)

ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(必須): 30 [継承]
(必須): 10 [継承]
(必須): 2574 2580 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1991年 10月 15日 (平成 3年 10月 15日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/110003902024/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.30.2574    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 110003902024 [継承]
WOS (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Hiroshi Imai and Masaki Shirai : AlN Sputtered Film Properties at Low Gas Pressures by Facing Target System, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, No.10, 2574-2580, 1991.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Hiroshi Imai and Masaki Shirai : AlN Sputtered Film Properties at Low Gas Pressures by Facing Target System, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, No.10, 2574-2580, 1991.

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