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登録内容 (EID=85832)

EID=85832EID:85832, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 15:50:58, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Shirai Masaki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Imai Hiroshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Reactive Planar Magnetron Sputtering System with Obliquely Facing Targets of Zn  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,斜め対向ターゲット式スパッタ装置を用い,金属亜鉛から反応性スパッタ法で酸化亜鉛膜を作製すると,通常のスパッタ装置により得られる結晶軸配向度よりも良好な膜が得られることを示した.たた,低ガス圧では表面平坦性も向上することを示した.これらは,高速酸素原子,イオンの膜衝撃を軽減した結果であることを考察した.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) planar magnetron sputtering (日) (読) [継承]
2. (英) ZnO (日) (読) [継承]
3. (英) reactive sputtering (日) (読) [継承]
4. (英) facing targets (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)

ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(必須): 30 [継承]
(必須): 9B [継承]
(必須): 2216 2219 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1991年 9月 30日 (平成 3年 9月 30日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/110003902710/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.30.2216    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 110003902710 [継承]
WOS (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Masaki Shirai and Hiroshi Imai : Reactive Planar Magnetron Sputtering System with Obliquely Facing Targets of Zn, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, No.9B, 2216-2219, 1991.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Masaki Shirai and Hiroshi Imai : Reactive Planar Magnetron Sputtering System with Obliquely Facing Targets of Zn, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, No.9B, 2216-2219, 1991.

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