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登録内容 (EID=85818)

EID=85818EID:85818, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 15:02:52, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須):
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Kume Michiya (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Tada Osamu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Time-of-flight Measurement of Particles in SiO2 Sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) シリコン半導体のパッシベーション用膜としてのSiO2のスパッタ膜作製において,従来から残留水分が膜形成速度に大きく関係することが指摘されていたが,本論文では,この現象を著者の開発した飛行時間法プローブを用いて,膜作製と同時にターゲット表面の水分の多少を観測し,その量がまく形成速度に関係することを証明したものである.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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ISSN (任意):
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(必須): 27 [継承]
(必須): 12 [継承]
(必須): 2414 2415 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1988年 12月 初日 (昭和 63年 12月 初日) [継承]
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WOS (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Michiya Kume and Osamu Tada : Time-of-flight Measurement of Particles in SiO2 Sputtering, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.27, No.12, 2414-2415, 1988.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Michiya Kume and Osamu Tada : Time-of-flight Measurement of Particles in SiO2 Sputtering, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.27, No.12, 2414-2415, 1988.

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