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登録内容 (EID=85805)

EID=85805EID:85805, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 15:02:52, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Kume Michiya (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Yuasa Takayuki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Tada Osamu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) High-Energy Oxygen Atoms in ZnO Film Preparation by Reactive Sputtering of Zn  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,アルゴン+酸素混合ガス中で反応性スパッタを行い,圧電性酸化亜鉛膜を作製したときの,膜の圧電性能と酸素分圧との関係を調べたものである.飛行時間測定法によるプローブにより膜を衝撃している酸素原子束を評価し,他方では膜形成速度等を測定した.膜結晶のc軸配向度(圧電性能に比例)の酸素分圧依存性は,主に高速酸素原子による膜の劣化と,膜形成速度の増加による膜衝撃効果の減殺を考慮すれば説明できることがわかった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)

ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(必須): 24 [継承]
(必須): Suppl.24-3 [継承]
(必須): 28 30 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1985年 10月 初日 (昭和 60年 10月 初日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/110003957921/ [継承]
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意): 110003957921 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Michiya Kume, Takayuki Yuasa and Osamu Tada : High-Energy Oxygen Atoms in ZnO Film Preparation by Reactive Sputtering of Zn, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.24, No.Suppl.24-3, 28-30, 1985.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Michiya Kume, Takayuki Yuasa and Osamu Tada : High-Energy Oxygen Atoms in ZnO Film Preparation by Reactive Sputtering of Zn, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.24, No.Suppl.24-3, 28-30, 1985.

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