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登録内容 (EID=85769)

EID=85769EID:85769, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 13:58:16, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Ueshiba Nozomu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.新谷 義廣
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Tada Osamu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) High-Energy Neutral Atoms in the Sputtering of ZnO  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,UHF帯の弾性表面波フィルタや光導波機能性薄膜などの種々の応用を持つ圧電薄膜で,昨今広く実用化されている酸化亜鉛結晶の良質膜をスパッタリング法により作製するとき,膜の再スパッタ,c軸配向度の低下や圧電特性の低下等の現象と,高速中性粒子が膜を衝撃していることと関連があることを,固体表面からの2次電子放出を利用したプローブを開発して定量的に検討したものである.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)

ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(必須): 20 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 519 526 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1981年 3月 5日 (昭和 56年 3月 5日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/110003981838/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.20.519    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 110003981838 [継承]
WOS (任意):
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Nozomu Ueshiba, Yoshihiro Shintani and Osamu Tada : High-Energy Neutral Atoms in the Sputtering of ZnO, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.20, No.3, 519-526, 1981.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Nozomu Ueshiba, Yoshihiro Shintani and Osamu Tada : High-Energy Neutral Atoms in the Sputtering of ZnO, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.20, No.3, 519-526, 1981.

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