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登録内容 (EID=85766)

EID=85766EID:85766, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 13:58:16, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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共著種別 (推奨):
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著者 (必須): 1.新谷 義廣
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学籍番号 (推奨):
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2.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Takawaki Taiichirou (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Tada Osamu (日) (読)
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Behaviours of High-Energy Electrons and Neutral Atoms in the Sputtering of BaTiO3  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,ペロブスカイト型のチタン酸バリウム薄膜を2極スパッタリング法で作製する際,ターゲット(チタン酸バリウムセラミック)と対向した位置に基板をおくと,基板が再スパッタされ,膜の形成がみられず,逆に基板がエッチングされるという現象を見出したものである.この得意な現象の原因として,ターゲット表面で跳ね返ってくる高エネルギー中性粒子による再スパッタを予想した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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ISSN (任意):
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(必須): 14 [継承]
(必須): 12 [継承]
(必須): 1875 1879 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1975年 12月 初日 (昭和 50年 12月 初日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Yoshihiro Shintani, Kikuo Tominaga, Taiichirou Takawaki and Osamu Tada : Behaviours of High-Energy Electrons and Neutral Atoms in the Sputtering of BaTiO3, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.14, No.12, 1875-1879, 1975.
欧文冊子 ● Yoshihiro Shintani, Kikuo Tominaga, Taiichirou Takawaki and Osamu Tada : Behaviours of High-Energy Electrons and Neutral Atoms in the Sputtering of BaTiO3, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.14, No.12, 1875-1879, 1975.

関連情報

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