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登録内容 (EID=85764)

EID=85764EID:85764, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 13:58:16, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
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審査 (推奨):
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.放送大学.徳島学習センター [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Mori Tatsuo (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.新谷 義廣
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Tada Osamu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of BaTiO3 Crystals by Floating Zone Technique  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,高純度の強誘電体チタン酸バリウム単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティング法で作製し,その単結晶の強誘電性について測定したものである.本方式の炉でのはじめての結晶作製であり,また従来他の方法でえられていたものよりも高純度の結晶がえられるようになり,チタン酸バリウム単結晶の電気伝導研究の目途がたった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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ISSN (任意):
[継承]
(必須): 14 [継承]
(必須): 8 [継承]
(必須): 1231 1232 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1975年 8月 初日 (昭和 50年 8月 初日) [継承]
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WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Tatsuo Mori, Yoshihiro Shintani and Osamu Tada : Growth of BaTiO3 Crystals by Floating Zone Technique, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.14, No.8, 1231-1232, 1975.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Tatsuo Mori, Yoshihiro Shintani and Osamu Tada : Growth of BaTiO3 Crystals by Floating Zone Technique, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.14, No.8, 1231-1232, 1975.

関連情報

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