『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=84159)

EID=84159EID:84159, Map:0, LastModified:2004年7月13日(火) 11:32:01, Operator:[岡田 達也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[岡田 達也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座 [継承]
研究者 (必須): 1.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座]) [継承]
種別 (必須): 1.国内 [継承]
出資団体 (必須): 文部省.日本学術振興会 (->組織[独立行政法人日本学術振興会]) [継承]
予算名 (必須): 科学研究費補助金 [継承]
予算名2 (推奨): 基盤研究(C) [継承]
番号 (推奨): 16560009 [継承]
課題 (必須): (英)   (日) シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発   [継承]
要約 (任意):
金額 (推奨):
期間 (必須): 西暦 2004年 4月 1日 (平成 16年 4月 1日) 〜西暦 2007年 3月 31日 (平成 19年 3月 31日) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 岡田 達也 : 文部省 日本学術振興会, 科学研究費補助金基盤研究(C), シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発, 2004年4月〜2007年3月.
欧文冊子 ● Tatsuya Okada : Japan Society for the Promotion of Science, Ministry of Education, Grants-in-Aid for Scientific ResearchScientific Research (C), シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発, April 2004-March 2007.

関連情報

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