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登録内容 (EID=83762)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.電気電子工学専攻 (〜2011年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Crystal orientation and residual stress in GaN films deposited by radio frequency sputtering with gallium nitride powder target are investigated by X-ray diffraction as functions of nitrogen concentration (CN2) in the atmosphere gas consisting of argon and nitrogen. In addition, the film surfaces are observed by atomic force microscopy. The following results are obtained: (1) GaN films deposited by sputtering with the powder target attained good crystal orientation, with the c-axis oriented normal to the substrate surface; (2) film thickness decreased with increasing nitrogen concentration (CN2); (3) the film deposited at CN2=20% had the largest crystal grain size, and the film deposited at CN2=0% had the smallest; (4) the film deposited at CN2=20% had the best c-axis orientation, and that deposited at CN2=0% had the poorest; (5) tensile residual stress occurred in films deposited at CN2≦20%, and compressive residual stress over -1 GPa occurred in films deposited at CN2≧50%.  (日) 窒化ガリウム粉末ターゲットを用いた高周波スパッタリングによって堆積したGaN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折によりアルゴンと窒素から成る雰囲気ガス中の窒素濃度(CN2)の関数として調べた.それに加えて,原子間力顕微鏡により膜表面を観察した.次の結果が得られた.(1)粉末ターゲットを用いたスパッタリングにより堆積したGaN膜は,c軸が基板面法線方向に配向した良い結晶配向性を有した.(2)膜厚は窒素濃度(CN2)の増加とともに減少した.(3) CN2=20%で堆積した膜の結晶粒サイズは最大となり,CN2=0%で堆積したものは最小となった.(4) CN2=20%で堆積した膜は最も良いc軸配向性を有し,CN2=0%で堆積したものは最も悪くなった.(5) CN2≦20%で堆積した膜には引張残留応力が発生し,CN2≧50%で堆積した膜には-1GPa以上の圧縮残留応力が発生した.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) Gallium nitride (日) (読) [継承]
2. (英) RF sputtering (日) (読) [継承]
3. (英) Powder target (日) (読) [継承]
4. (英) Crystal orientation (日) (読) [継承]
5. (英) Residual stress (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): (英) Elsevier Ltd. (日) (読) [継承]
誌名 (必須): Vacuum ([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)

ISSN (任意): 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 74 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 613 618 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2004年 6月 7日 (平成 16年 6月 7日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-4C835PB-1&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-ZE-MsSAYZW-UUA-AUECWBYYEV-AUEWYAEZEV-CDADZAZVE-ZE-U&_fmt=full&_coverDate=06%2F07%2F2004&_rdoc=44&_orig=browse&_srch=%23toc%235552%232004%23999259996%23501786!&_cdi=5552&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=351f3664885402ff5e56d64188b58304 [継承]
DOI (任意): 10.1016/j.vacuum.2004.01.034    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target, Vacuum, Vol.74, No.3-4, 613-618, 2004.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target, Vacuum, Vol.74, No.3-4, 613-618, 2004.

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